onsemi MJE15030G THT, NPN Transistor 150 V / 8 A 30 MHz, TO-220AB 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 544-9680
Herst. Teile-Nr.:: MJE15030G
Marke:: onsemi

onsemi MJE15030G THT, NPN Transistor 150 V / 8 A 30 MHz, TO-220AB 3-Pin

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Herst. Teile-Nr.:: MJE15030G
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Produktdetails

NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor

Normen

Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen.

Der on Semiconductor MJE15030G ist ein 150-V-, 8-A-NPN-Bipolartransistor in einem TO-220-3-Gehäuse. Dieser bipolare Leistungstransistor ist für den Einsatz als Hochfrequenztreiber in Audioverstärkeranwendungen vorgesehen.

• Hohe Gleichstromverstärkung
• Hohe Stromverstärkung - Bandbreiten-Produkt
• durchkontaktiertes TO-220-Gehäuse

Lieferbare Versionen:
125-0072 - Rohr mit 50 Stück
544-9680 - einfach

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
DC Kollektorstrom max.	8 A
Kollektor-Emitter-Spannung	150 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Verlustleistung max.	50 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.	150 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Arbeitsfrequenz max.	30 MHz
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	9.28 x 10.28 x 4.82mm

RS Best.-Nr.:: 544-9680
Herst. Teile-Nr.:: MJE15030G
Marke:: onsemi