Fairchild Semiconductor

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.5.4301 Packung mit 100 Stück
Diode Siliziumverbindung, 400V / 1A Siliziumverbindung, DO-41 2-Pin
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • GehäusegrößeDO-41
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch400V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.2.762
    Stück (In einer VPE à 2)
UltraFET HUF75639G3 N-Kanal MOSFET, 100 V / 56 A, 200 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.9.198
    Stück (In einer Stange von 30)
Fairchild Semiconductor N-Kanal IGBT HGTG40N60B3, 600 V 70 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.70 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.22.853
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 2)
Fairchild Semiconductor Power Switch IC FDDS100H06_F085
  • Netzschalter-TypSchalter Hochspannungsseite
  • Topologie des NetzschaltersHochspannungsseite
  • Einschaltwiderstand0.2Ω
  • Arbeitsspannnung max.37 V
  • Betriebsstrom max.3A
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
  • CHF.2.013
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor Power Switch IC FSDM0565REWDTU
  • Einschaltwiderstand1.76Ω
  • Anzahl der Ausgänge1
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • GehäusegrößeTO-220F
  • Pinanzahl6
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
  • CHF.1.521
    Stück (In einer VPE à 5)
PowerTrench FDD10AN06A0 N-Kanal MOSFET, 60 V / 50 A, 135 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.2.914
    Stück (In einer Stange von 50)
PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal MOSFET, 60 V / 17 A, 310 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.363
    Stück (In einer VPE à 5)
FDMC7696 N-Kanal MOSFET Transistor, 30 V / 38 A, 25 W, MLP 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.38 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeMLP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.772
    Stück (In einer VPE à 10)
Line-Driver differenzial FIN1001M5X, SOT-23 5-Pin
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl5
  • Abmessungen3 x 1.7 x 1.25mm
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.070
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Logikgatter, NC7S00M5X, 1 NAND, TinyLogic HS, 2.6mA 5-Pin SOT-23 2 Nein
  • LogikfunktionNAND
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente1
  • Eingänge pro Gatter2
  • Schmitt-Trigger-EingangNein
Vergleichbare Produkte in "Logikgatter"
  • CHF.0.737
    Stück (In einer VPE à 5)
PowerTrench FDMC4435BZ P-Kanal MOSFET, 30 V / 32 A, 31 W, MLP 8-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.32 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeMLP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.2.048
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor Motor Driver IC FAH4830MPX, 0.5A, MLP, 10-Pin, Piezo-haptisch, Vollbrücke
  • MotortypPiezo-haptisch
  • AusgangskonfigurationVollbrücke
  • IGBT Collectorstrom max.0.5A
  • Kollektor-Emitter-3 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
  • CHF.0.749
    Stück (In einer VPE à 10)
Diode Siliziumverbindung, 1200V / 4A Siliziumverbindung 90ns, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Dauer-Durchlassstrom max.4A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.1.708
    Stück (In einer VPE à 5)
Diode, 45V / 30A Schottky, TO-247AD 3-Pin
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • GehäusegrößeTO-247AD
  • Dauer-Durchlassstrom max.30A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch45V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.1.041
    Stück (In einer VPE à 10)
FDD14AN06LA0_F085 N-Kanal MOSFET Transistor, 60 V / 50 A, 125 W, DPAK 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.070
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NC7S04M5X Inverter, LVCMOS, SOT-23 5-Pin
  • LogikfunktionInverter
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Schmitt-Trigger-EingangNein
  • Signalverzögerungszeit @ max. CL100 ns @ 2 V
  • Ausgangsstrom H-Pegel max.-2.6mA
Vergleichbare Produkte in "Inverter"
  • CHF.0.468
    Stück (In einer VPE à 10)
Leistungsfaktor-Controller FAN7930BMX, 350 kHz SOP 8-Pin 24 V
  • Schaltfrequenz max.350 kHz
  • Anlaufstrom190µA
  • IC-ArtPower Factor Controller
  • Quellenstrom max.-12µA
  • Sink-Strom12µA
Vergleichbare Produkte in "Leistungsfaktor Korrektur"
  • CHF.1.299Stück
PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal MOSFET, 60 V / 17 A, 310 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.047
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 2000)
Transistor PN2907ATA PNP 60 V 800 mA, TO-92 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.800 mA
  • Kollektor-Emitter-60 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.6.623Stück
Fairchild Semiconductor N-Kanal IGBT FGH40N120ANTU, 1200 V 64 A, TO-247AB 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.64 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.417 W
  • GehäusegrößeTO-247AB
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
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