Fairchild Semiconductor

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Beschreibung
Produkt-Details
UltraFET HUF75639G3 N-Kanal MOSFET, 100 V / 56 A, 200 W, TO-247 3-Pin
  • CHF.2.762
    Stück (In einer VPE à 2)
UltraFET HUF75639G3 N-Kanal MOSFET, 100 V / 56 A, 200 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Diode Siliziumverbindung, 400V / 1A Siliziumverbindung, DO-41 2-Pin
  • CHF.5.4301 Packung mit 100 Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Diode Siliziumverbindung, 400V / 1A Siliziumverbindung, DO-41 2-Pin
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • GehäusegrößeDO-41
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch400V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Fairchild Semiconductor N-Kanal IGBT HGTG40N60B3, 600 V 70 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • CHF.9.198
    Stück (In einer Stange von 30)
Fairchild Semiconductor N-Kanal IGBT HGTG40N60B3, 600 V 70 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.70 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
PowerTrench FDD2572_F085 N-Kanal MOSFET, 150 V / 29 A, 135 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • CHF.0.468
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
PowerTrench FDD2572_F085 N-Kanal MOSFET, 150 V / 29 A, 135 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.29 A
  • Drain-Source-Spannung max.150 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild Semiconductor Motor Driver IC FSBS15CH60, 15A, 20kHz, PDIP, 27-Pin, AC-Induktionsmotor, 3-phasig, Motion SPM
  • CHF.20.408
    Stück (In einer Stange von 10)
Fairchild Semiconductor Motor Driver IC FSBS15CH60, 15A, 20kHz, PDIP, 27-Pin, AC-Induktionsmotor, 3-phasig, Motion SPM
  • MotortypAC-Induktionsmotor
  • Ausgangskonfiguration3-phasig
  • IGBT Collectorstrom max.15A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
Leistungsfaktor-Controller FAN7930BMX, 350 kHz SOP 8-Pin 24 V
  • CHF.0.468
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Leistungsfaktor-Controller FAN7930BMX, 350 kHz SOP 8-Pin 24 V
  • Schaltfrequenz max.350 kHz
  • Anlaufstrom190µA
  • IC-ArtPower Factor Controller
  • Quellenstrom max.-12µA
  • Sink-Strom12µA
Vergleichbare Produkte in "Leistungsfaktor Korrektur"
PowerTrench FDC642P_F085 P-Kanal MOSFET, 20 V / 4 A, 1,2 W, SOT-23 6-Pin
  • CHF.0.503
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
PowerTrench FDC642P_F085 P-Kanal MOSFET, 20 V / 4 A, 1,2 W, SOT-23 6-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.4 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Diode Siliziumverbindung, 1200V / 4A Siliziumverbindung 90ns, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • CHF.0.749
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Diode Siliziumverbindung, 1200V / 4A Siliziumverbindung 90ns, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Dauer-Durchlassstrom max.4A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal MOSFET, 60 V / 17 A, 310 W, TO-220AB 3-Pin
  • CHF.2.914
    Stück (In einer Stange von 50)
PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal MOSFET, 60 V / 17 A, 310 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild Semiconductor N-Kanal IGBT FGH40N120ANTU, 1200 V 64 A, TO-247AB 3-Pin Einfach
  • CHF.6.623Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild Semiconductor N-Kanal IGBT FGH40N120ANTU, 1200 V 64 A, TO-247AB 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.64 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.417 W
  • GehäusegrößeTO-247AB
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Logikgatter, NC7SZ32P5X, 1 ODER, TinyLogic UHS, 32mA 5-Pin SC-70 2 Nein
  • CHF.0.059
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Logikgatter, NC7SZ32P5X, 1 ODER, TinyLogic UHS, 32mA 5-Pin SC-70 2 Nein
  • LogikfunktionODER
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente1
  • Eingänge pro Gatter2
  • Schmitt-Trigger-EingangNein
Vergleichbare Produkte in "Logikgatter"
Fairchild Semiconductor Power Switch IC FSFR1800HS
  • CHF.2.036Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild Semiconductor Power Switch IC FSFR1800HS
  • Netzschalter-TypIntegriert
  • Einschaltwiderstand0.95Ω
  • Arbeitsspannnung max.25 V
  • Anzahl der Ausgänge2
  • Betriebsstrom max.7A
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
NC7S04M5X Inverter, LVCMOS, SOT-23 5-Pin
  • CHF.0.070
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NC7S04M5X Inverter, LVCMOS, SOT-23 5-Pin
  • LogikfunktionInverter
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Schmitt-Trigger-EingangNein
  • Signalverzögerungszeit @ max. CL100 ns @ 2 V
  • Ausgangsstrom H-Pegel max.-2.6mA
Vergleichbare Produkte in "Inverter"
NDS0610 P-Kanal MOSFET, 60 V / 120 mA, 360 mW, SOT-23 3-Pin
  • CHF.0.059
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NDS0610 P-Kanal MOSFET, 60 V / 120 mA, 360 mW, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.120 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
UniFET FDP52N20 N-Kanal MOSFET, 200 V / 52 A, 357 W, TO-220AB 3-Pin
  • CHF.1.322
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
UniFET FDP52N20 N-Kanal MOSFET, 200 V / 52 A, 357 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.52 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Line-Driver differenzial FIN1001M5X, SOT-23 5-Pin
  • CHF.0.772
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Line-Driver differenzial FIN1001M5X, SOT-23 5-Pin
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl5
  • Abmessungen3 x 1.7 x 1.25mm
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
PowerTrench FDD8444_F085 N-Kanal MOSFET, 40 V / 145 A, 153 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • CHF.0.55
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
PowerTrench FDD8444_F085 N-Kanal MOSFET, 40 V / 145 A, 153 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.145 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild Semiconductor Power Switch IC FDDS100H06_F085
  • CHF.22.853
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild Semiconductor Power Switch IC FDDS100H06_F085
  • Topologie des NetzschaltersHochspannungsseite
  • Netzschalter-TypSchalter Hochspannungsseite
  • Einschaltwiderstand0.2Ω
  • Arbeitsspannnung max.37 V
  • Anzahl der Ausgänge1
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
PowerTrench FDD2572 N-Kanal MOSFET, 150 V / 29 A, 135 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • CHF.1.615
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
PowerTrench FDD2572 N-Kanal MOSFET, 150 V / 29 A, 135 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.29 A
  • Drain-Source-Spannung max.150 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
SuperFET FCP7N60 N-Kanal MOSFET, 600 V / 7 A, 83 W, TO-220AB 3-Pin
  • CHF.1.627
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
SuperFET FCP7N60 N-Kanal MOSFET, 600 V / 7 A, 83 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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