Fairchild Semiconductor

Diskrete Halbleiter

Kategorie

Diskrete Halbleiter
(1) Bipolare Transistoren
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(7) MOSFET
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(2) Suppressordioden TVS
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Beschreibung
Produkt-Details
Fairchild Semiconductor Kleinsignaldiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • CHF.0.032
    Stück (In einer VPE à 250)
Fairchild Semiconductor Kleinsignaldiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Durchlassstrom max.300mA
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypTHT
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • CHF.0.011
    Stück (Auf einer Rolle von 10000)
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Durchlassstrom max.400mA
  • Montage-TypTHT
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Gleichrichterdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • CHF.0.011
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Fairchild Semiconductor Gleichrichterdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Durchlassstrom max.400mA
  • Montage-TypTHT
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • CHF.0.011
    Stück (In einer Box à 2000)
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • Durchlassstrom max.300mA
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Montage-TypTHT
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Kleinsignaldiode
  • CHF.0.011
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Fairchild Semiconductor Kleinsignaldiode
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • CHF.0.04
    Stück (In einer VPE à 20)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • Durchlassstrom max.400mA
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypTHT
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Fairchild Semiconductor UltraFET HUF75639G3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-247
  • CHF.2.48
    Stück (In einer VPE à 2)
Fairchild Semiconductor UltraFET HUF75639G3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieUltraFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild IGBT / 70 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • CHF.8.25
    Stück (In einer Stange von 30)
Fairchild IGBT / 70 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.70 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • CHF.1.66
    Stück (Auf einer Rolle von 800)
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14.5V 9.5V min., 2-Pin, THT 8.5V max DO-15
  • CHF.0.36
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14.5V 9.5V min., 2-Pin, THT 8.5V max DO-15
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.14.5V
  • Durchschlagspannung min.9.5V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • CHF.3.38
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild Semiconductor Line-Driver differenzial 5-Pin SOT-23
  • CHF.0.641
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild Semiconductor Line-Driver differenzial 5-Pin SOT-23
  • InterfaceDifferenzial-ADC-Treiber-IC
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl5
  • Abmessungen3 x 1.7 x 1.25mm
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Fairchild Semiconductor UniFET FDP52N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-220AB
  • CHF.1.187
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor UniFET FDP52N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.52 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • SerieUniFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild Semiconductor QFET FQD10N20CTM N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 7,8 A 50 W, 3-Pin DPAK
  • CHF.0.683
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor QFET FQD10N20CTM N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 7,8 A 50 W, 3-Pin DPAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • SerieQFET
  • GehäusegrößeDPAK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • CHF.2.16
    Stück (Auf einer Rolle von 800)
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.46 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung420 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.250 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 310 W, 3-Pin TO-220AB
  • CHF.2.615
    Stück (In einer Stange von 50)
Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 310 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • SeriePowerTrench
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • CHF.2.86
    Stück (In einer Stange von 50)
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • CHF.4.316
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.46 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung420 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.250 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Fairchild Semiconductor PowerTrench FDMC8884 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 18 W, 8-Pin MLP
  • CHF.1.01
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild Semiconductor PowerTrench FDMC8884 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 18 W, 8-Pin MLP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.24 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SeriePowerTrench
  • GehäusegrößeMLP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • CHF.2.699
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
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