Infineon

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.094
    Stück (In einer VPE à 50)
NPN + PNP Digitaler Transistor BCR08PNH6327XTSA1 50 V 100 mA Eingangswiderstand 2,2 kΩ, Verhältnis 0,047
  • Transistor-TypNPN + PNP
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • Eingangswiderstand typ.2,2 kΩ
Vergleichbare Produkte in "Transistoren digital"
  • CHF.29.371Stück
Infineon, Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Motorsteuerung, Schild, für Arduino Uno R3, XMC1100 Boot Kit
  • Funktion für StromüberwachungseinheitenMotorsteuerung
  • Kit-KlassifizierungSchild
  • Zum Einsatz mitArduino Uno R3, XMC1100 Boot Kit
Vergleichbare Produkte in "Entwicklungskits Spannungsregler"
  • CHF.11.667Stück
AEC-Q100 Motor Driver IC BTM7811KAUMA1, 42A TO-263 15-Pin BLDC Vollbrücke
  • MotortypBLDC
  • AusgangskonfigurationVollbrücke
  • IGBT Collectorstrom max.42A
  • Kollektor-Emitter-40 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
  • CHF.114.466Stück
Debugger XMC, ARM Cortex
  • KlassifizierungEntwicklungskit
  • Kit-NameXMC
  • TechnologieDebugger
  • GerätekernARM Cortex
Vergleichbare Produkte in "Entwicklungskits Prozessor & Mikrocontroller"
  • CHF.7.267
    Stück (Auf einer Rolle von 500)
AEC-Q100 Motor Driver IC BTM7811KAUMA1, 42A TO-263 15-Pin BLDC Vollbrücke
  • MotortypBLDC
  • AusgangskonfigurationVollbrücke
  • IGBT Collectorstrom max.42A
  • Kollektor-Emitter-40 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
  • CHF.1.322
    Stück (In einer VPE à 10)
Intelligent Power Switch BTS50301EJAXUMA1, Netzschalter, Hochspannungsseite 1-Kanal 5 → 28V 5A DSO-8-43 8-Pin
  • Netzschalter-TypHochspannungsseite, Netzschalter
  • Einschaltwiderstand60mΩ
  • Anzahl der Ausgänge1
  • Spannung5 → 28V
  • Strom5A
Vergleichbare Produkte in "Intelligente Leistungsschalter"
  • CHF.0.726
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Intelligent Power Switch BTS50301EJAXUMA1, Netzschalter, Hochspannungsseite 1-Kanal 5 → 28V 5A DSO-8-43 8-Pin
  • Netzschalter-TypHochspannungsseite, Netzschalter
  • Einschaltwiderstand60mΩ
  • Anzahl der Ausgänge1
  • Spannung5 → 28V
  • Strom5A
Vergleichbare Produkte in "Intelligente Leistungsschalter"
  • CHF.0.246
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
OptiMOS 3 BSC120N03LSGATMA1 N-Kanal MOSFET Transistor, 30 V / 39 A, 2,5 W, TDSON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.39 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • Drain-Source-Widerstand max.16,5 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.67.870Stück
Microcontroller Development Kit XMC4800 Relax EtherCAT MCU, Evaluation Kit, ARM Cortex M4 V1, XMC4800
  • KlassifizierungEvaluation Kit
  • Kit-NameXMC4800 Relax EtherCAT MCU
  • TechnologieEvaluierungsplatine
  • GerätekernARM Cortex M4
  • Name der ProzessorfamilieXMC
Vergleichbare Produkte in "Entwicklungskits Prozessor & Mikrocontroller"
  • CHF.0.328
    Stück (In einer VPE à 50)
OptiMOS P BSS308PEH6327XTSA1 P-Kanal MOSFET, 30 V / 1,6 A, 500 mW, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.1,6 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • Drain-Source-Widerstand max.130 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.1V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.5.067
    Stück (In einer Stange von 25)
N-Kanal IGBT IRG4PC40UDPBF, 600 V 40 A, TO-247AC 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.40 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247AC
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.0.620
    Stück (In einer VPE à 5)
OptiMOS 3 BSC120N03LSGATMA1 N-Kanal MOSFET, 30 V / 39 A, 2,5 W, TDSON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.39 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • Drain-Source-Widerstand max.16,5 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.105
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
OptiMOS P BSS308PEH6327XTSA1 P-Kanal MOSFET, 30 V / 1,6 A, 500 mW, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.1,6 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • Drain-Source-Widerstand max.130 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.1V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.615
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
Intelligent Power Switch BTS5215LAUMA1, Hochgeschwindigkeitsschalter 2-Kanal 5.5 → 40V DSO 14-Pin
  • Netzschalter-TypHochgeschwindigkeitsschalter
  • Einschaltwiderstand0.07Ω
  • Anzahl der Ausgänge2
  • Spannung5.5 → 40V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Intelligente Leistungsschalter"
  • CHF.0.644
    Stück (In einer VPE à 10)
Stromfühler-Verstärker IR25750LTRPBF, Single Single Ended SOT-23 5-Pin
  • Stromversorgungs-TypSingle
  • Versorgungsspannung einzeln typ.-5 → 600 V
  • Anzahl der Kanäle pro Chip1
  • Ausgangs-TypSingle Ended
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Strom-Messverstärker"
  • CHF.6.296Stück
N-Kanal IGBT IRG4PC40UDPBF, 600 V 40 A, TO-247AC 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.40 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247AC
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.1.276
    Stück (In einer VPE à 4)
HEXFET IRFS4310ZTRLPBF N-Kanal MOSFET, 100 V / 127 A, 250 W, D2PAK (TO-263) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.127 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • Drain-Source-Widerstand max.6 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.889
    Stück (In einer VPE à 10)
Low Drop Spannungsregler IFX27001TFV33ATMA1, Fest 1A 3,3 Vout 1 TO-252, 3-Pin Positiv
  • Ausgangsspannung3,3 V
  • Ausgangs-TypFest
  • GehäusegrößeTO-252
  • Ausgangsstrom max.1A
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "LDO Spannungsregler"
  • CHF.0.328
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stromfühler-Verstärker IR25750LTRPBF, Single Single Ended SOT-23 5-Pin
  • Stromversorgungs-TypSingle
  • Versorgungsspannung einzeln typ.-5 → 600 V
  • Anzahl der Kanäle pro Chip1
  • Ausgangs-TypSingle Ended
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Strom-Messverstärker"
  • CHF.0.878Stück
LogicFET IRL520NPBF N-Kanal MOSFET, 100 V / 10 A, 48 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • Drain-Source-Widerstand max.180 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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