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Diskrete Bauteile

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.878
    Stück (In einer VPE à 10)
AUIRFL024N N-Kanal MOSFET Transistor, 55 V / 2,8 A, 1 W, SOT-223 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeSOT-223
  • Montage-TypSMD
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  • CHF.27.10Stück
N-Kanal IGBT IRGPS4067DPBF, 600 V 240 A 30kHz, Super-247 3-Pin
  • Dauer-Kollektorstrom max.240 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.750 W
  • GehäusegrößeSuper-247
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