Texas Instruments

Diskrete Bauteile

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.1.322
    Stück (In einer Stange von 40)
NPN Darlington-Paar ULN2803ADW 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.1.57
    Stück (In einer VPE à 5)
NPN Darlington-Paar ULN2803ADW 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößeSOIC
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.655
    Stück (In einer Stange von 25)
NPN Darlington-Paar ULN2003AN 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.538
    Stück (In einer VPE à 25)
ESD-Schutzarray Uni-Directional TPD4E001DBVR, 100V 100W, SOT-23 6-Pin
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.211
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
ESD-Schutzarray Uni-Directional TPD4E001DBVR, 100V 100W, SOT-23 6-Pin
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.480
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 25)
ESD-Schutzarray Uni-Directional TPD2E001DRYR, 100V, SON 6-Pin
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.480
    Stück (In einer VPE à 25)
TVS-Diode-Array Bi-Directional TPD2EUSB30DRTR, 8V 45W, SOT-9X3 3-Pin
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Klemmenspannung max.8V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.35
    Stück (In einer VPE à 20)
FemtoFET CSD13381F4T N-Kanal MOSFET, 12 V / 2,1 A, 500 mW, PICOSTAR 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.082
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
FemtoFET CSD17381F4T N-Kanal MOSFET, 30 V / 3,1 A, 500 mW, PICOSTAR 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.620
    Stück (In einer VPE à 10)
NexFET CSD17307Q5A N-Kanal MOSFET, 30 V / 73 A, 3 W, SON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.73 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.316
    Stück (In einer VPE à 10)
FemtoFET CSD17381F4 N-Kanal MOSFET, 30 V / 3,1 A, 500 mW, PICOSTAR 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.580
    Stück (In einer VPE à 5)
TVS-Diode SN65240PW, TSSOP 8-Pin
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeTSSOP
  • Pinanzahl8
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.164
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
FemtoFET CSD17484F4T N-Kanal MOSFET, 30 V / 3 A, 500 mW, PICOSTAR 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.2.633
    Stück (In einer VPE à 5)
Programmierbare Stromquelle LM234Z-3/NOPB TO-92, 3-Pin, 5.2 x 4.19 x 5.2mm
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Betriebsspitzenspannung max.40V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • GehäusegrößeTO-92
Vergleichbare Produkte in "Konstantstrom Dioden"
  • CHF.0.620
    Stück (In einer VPE à 5)
ESD-Schutzarray TPD6E004RSER, QFN 8-Pin
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeQFN
  • Pinanzahl8
  • Anzahl der Elemente pro Chip6
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.187
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
ESD-Schutzarray Uni-Directional TPD2EUSB30ADRTR, 8V 45W, SOT-9X3 3-Pin
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.8V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.480
    Stück (In einer VPE à 20)
ESD-Schutzarray Bi-Directional TPD4E1B06DCKR, 14.5V 45W, SOT-363 (SC-70) 6-Pin
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Klemmenspannung max.14.5V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.006
    Stück (In einer Stange von 150)
TVS-Diode SN65240PW, TSSOP 8-Pin
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeTSSOP
  • Pinanzahl8
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.498
    Stück (In einer VPE à 5)
NexFET CSD18533Q5A N-Kanal MOSFET, 60 V / 100 A, 3,2 W, SON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.843
    Stück (In einer Stange von 48)
NPN Darlington-Paar DS2003TM/NOPB 55 V 500 mA, SOIC 16-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-55 V
  • Basis-Emitter Spannung max.6 V
  • GehäusegrößeSOIC
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
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