Texas Instruments

Diskrete Bauteile

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.1.57
    Stück (In einer VPE à 5)
NPN Darlington-Paar ULN2803ADW 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößeSOIC
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.1.322
    Stück (In einer Stange von 40)
NPN Darlington-Paar ULN2803ADW 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.538
    Stück (In einer VPE à 25)
ESD-Schutzarray Uni-Directional TPD4E001DBVR, 100V 100W, SOT-23, 6-Pin, SMD
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.620Stück
NPN Darlington-Transistor-Array ULN2003AN 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.23
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
ESD-Schutzarray Uni-Directional TPD4E001DBVR, 100V 100W, SOT-23, 6-Pin, SMD
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.655
    Stück (In einer Stange von 25)
NPN Darlington-Paar ULN2003AN 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.655
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
TVS-Diode SN65220DBVT, SOT-23, 6-Pin, SMD
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl6
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.082
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
FemtoFET CSD17381F4T N-Kanal MOSFET, 30 V / 3,1 A, 500 mW, PICOSTAR 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.521
    Stück (In einer VPE à 5)
NexFET CSD18531Q5A N-Kanal MOSFET, 60 V / 134 A, 3,1 W, SON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.134 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.7.161
    Stück (In einer Stange von 50)
Brückengleichrichter UC2610N, 1-phasig 50V, 1A Schottky PDIP Dual, 8-Pin
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert1A
  • Brücken-Typ1-phasig
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch50V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
  • CHF.0.924
    Stück (In einer Stange von 95)
Abwärtsregler LM334M/NOPB, SOIC 8-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Betriebsspitzenspannung max.40V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOIC
Vergleichbare Produkte in "Konstantstrom Dioden"
  • CHF.0.679
    Stück (In einer VPE à 10)
NPN Darlington-Paar ULN2003AID 50 V 500 mA, SOIC 16-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.445
    Stück (In einer VPE à 10)
ESD-Schutzarray TPD6E001RSFR, QFN, 12-Pin, SMD
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeQFN
  • Pinanzahl12
  • Anzahl der Elemente pro Chip6
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.8.554Stück
Brückengleichrichter UC2610N, 1-phasig 50V, 1A Schottky PDIP Dual, 8-Pin
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert1A
  • Brücken-Typ1-phasig
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch50V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
  • CHF.1.299Stück
NPN Darlington-Paar ULN2003LVDR 8 V 140 mA, SOIC 16-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.140 mA
  • Kollektor-Emitter-8 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.1.357
    Stück (In einer VPE à 5)
NexFET CSD18537NKCS N-Kanal MOSFET, 60 V / 54 A, 79 W, TO-220 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.54 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.521
    Stück (In einer VPE à 5)
NexFET CSD19534KCS N-Kanal MOSFET, 100 V / 100 A, 118 W, TO-220 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.257
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
ESD-Schutzdiode Uni-Directional TPD2E007DCKR 150W, SOT-323 (SC-70), 3-Pin, SMD
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationSerie
  • Durchschlagspannung min.14V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-323 (SC-70)
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.538
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
NexFET CSD16322Q5 N-Kanal MOSFET, 25 V / 97 A, 3,1 W, SON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.97 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • GehäusegrößeSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.088
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
NexFET CSD18531Q5A N-Kanal MOSFET, 60 V / 134 A, 3,1 W, SON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.134 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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