Texas Instruments

Diskrete Bauteile

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.1.57
    Stück (In einer VPE à 5)
NPN Darlington-Paar ULN2803ADW 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößeSOIC
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.1.322
    Stück (In einer Stange von 40)
NPN Darlington-Paar ULN2803ADW 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.23
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
ESD-Schutzarray Uni-Directional TPD4E001DBVR, 100V 100W, SOT-23, 6-Pin, SMD
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.538
    Stück (In einer VPE à 25)
ESD-Schutzarray Uni-Directional TPD4E001DBVR, 100V 100W, SOT-23, 6-Pin, SMD
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.655
    Stück (In einer Stange von 25)
NPN Darlington-Paar ULN2003AN 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.620Stück
NPN Darlington-Transistor-Array ULN2003AN 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Gemeinsamer Impulsgeber
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.796
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
NexFET CSD17573Q5BT N-Kanal MOSFET, 30 V / 43 A, 3,2 W, VSCON-CLIP 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSCON-CLIP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.269
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
ESD-Schutzarray Bi-Directional TPD4E02B04DQAR, 8.8V 17W, USON, 10-Pin, SMD
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationVierfach
  • Klemmenspannung max.8.8V
  • Durchschlagspannung min.5.5V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.276
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
NexFET CSD87350Q5D N-Kanal, Dual MOSFET-Modul, 30 V / 120 A, 12 W, SON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.23
    Stück (Auf einer Rolle von 4000)
TVS-Diode-Array TPD4E001DRLR, SOT-553, 6-Pin, SMD
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-553
  • Pinanzahl6
  • Anzahl der Elemente pro Chip4
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.726
    Stück (In einer VPE à 10)
NexFET CSD17308Q3T N-Kanal MOSFET, 30 V / 50 A, 28 W, VSON-CLIP 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.538
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
NexFET CSD17576Q5BT N-Kanal MOSFET, 30 V / 30 A, 3,1 W, VSCON-CLIP 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSCON-CLIP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.5.02Stück
NexFET CSD19506KCS N-Kanal MOSFET, 80 V / 273 A, 375 W, TO-220 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.273 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.159
    Stück (In einer Stange von 25)
  • CHF.1.638
    Stück (In einer VPE à 5)
ESD-Schutzarray Uni-Directional TPD8S009DSMR 25W, SON, 15-Pin, SMD
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Direction TypUni-Directional
  • Durchschlagspannung min.9V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.732
    Stück (In einer VPE à 5)
NexFET CSD19531Q5AT N-Kanal MOSFET, 100 V / 110 A, 125 W, VSON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.110 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeVSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.281
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
TVS-Diode-Array Uni-Directional TPD4S012DRYR 60W, SON, 6-Pin, SMD
  • DiodenkonfigurationKomplexes Array
  • Direction TypUni-Directional
  • Durchschlagspannung min.20V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.2.539
    Stück (In einer VPE à 5)
NexFET CSD87350Q5D N-Kanal, Dual MOSFET-Modul, 30 V / 120 A, 12 W, SON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.222
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
NPN Darlington-Transistor ULN2003ADR 50 V, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Pinanzahl16
  • Anzahl der Elemente pro Chip7
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.866
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
NexFET CSD17303Q5 N-Kanal MOSFET, 30 V / 100 A, 3,2 W, SON 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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