MOSFET

MOSFET, auch MOSFET-Transistoren genannt, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. Er funktioniert ähnlich wie ein Schalter und wird zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungsmodus?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs ähneln einem variablen Widerstand und sind im Allgemeinen beliebter als Verarmungsmodus-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Source. Leistungs-MOSFETs ähneln Standard-MOSFETs, sind jedoch für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

Wo liegen die Unterscheide zwischen N-Kanal-und P-Kanal-MOSFETs?

MOSFETs bestehen aus P- oder N-dotiertem Silizium.
  • N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
  • P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

Wo werden MOSFETs verwendet?

MOSFETs finden sich in vielen Anwendungen wie Mikroprozessoren und anderen Speicherkomponenten. MOSFET-Transistoren werden am häufigsten als spannungsgesteuerter Schalter in Schaltkreisen verwendet.

Was bedeutet MOSFET?

Dies ist die englische Abkürzung für ’metal oxide semicMOSFET-Treiberonductor field-effect transistor’

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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gate-Schwellenspannung max. Gate-Schwellenspannung min. Gate-Source Spannung max. Gehäusegröße Montage-Typ Pinanzahl Transistor-Konfiguration Channel-Modus Verlustleistung max. Anzahl der Elemente pro Chip
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Herst. Teile-Nr.STL38N65M5
CHF.7.009
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
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RS Best.-Nr. 920-8818
Herst. Teile-Nr.STL38N65M5
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Stück (Auf einer Rolle von 3000)
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N 22 A 650 V 105 mΩ 5V 3V –25 V, +25 V PowerFLAT HS SMD 5 Einfach Enhancement 2,8 W 1
RS Best.-Nr. 827-0503
Herst. Teile-Nr.DMP3099L-7
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Stück (In einer VPE à 100)
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P 2,9 A 30 V 99 mΩ 2.1V - -20 V, +20 V SOT-23 SMD 3 Einfach Enhancement 1,08 W 1
RS Best.-Nr. 121-9641
Herst. Teile-Nr.DMP3099L-7
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Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 2,9 A 30 V 99 mΩ 2.1V - -20 V, +20 V SOT-23 SMD 3 Einfach Enhancement 1,08 W 1
RS Best.-Nr. 796-1381
Herst. Teile-Nr.NTR5198NLT1G
CHF.0.269
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
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RS Best.-Nr. 922-7651
Herst. Teile-Nr.ZXMN6A07FTA
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Stück
N 1,2 A 60 V 450 mΩ 3V - -20 V, +20 V SOT-23 SMD 3 Einfach Enhancement 806 mW 1
RS Best.-Nr. 155-147
Herst. Teile-Nr.ZXMN6A07FTA
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Stück
N 1,2 A 60 V 450 mΩ 3V - -20 V, +20 V SOT-23 SMD 3 Einfach Enhancement 806 mW 1
RS Best.-Nr. 146-0412
Herst. Teile-Nr.STW120NF10
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Stück (In einer Stange von 30)
Stück
N 110 A 100 V 10,5 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V TO-247 Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 312 W 1
RS Best.-Nr. 739-0189
Herst. Teile-Nr.FDG6303N
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RS Best.-Nr. 178-7601
Herst. Teile-Nr.FDG6303N
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Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 500 mA 25 V 770 mΩ - 0.65V +8 V SOT-363 (SC-70) SMD 6 Isoliert Enhancement 300 mW 2
RS Best.-Nr. 810-3700
Herst. Teile-Nr.STW120NF10
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Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 110 A 100 V 10,5 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V TO-247 Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 312 W 1
RS Best.-Nr. 783-3113
Herst. Teile-Nr.STL36N55M5
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Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 22 A 600 V 90 mΩ 5V 3V –25 V, +25 V PowerFLAT HS SMD 5 Einfach Enhancement 2,8 W 1
RS Best.-Nr. 751-5348
Herst. Teile-Nr.ZXMHC6A07N8TC
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Stück
N, P 1,4 A; 1,8 A 60 V 350 mΩ 3V - -20 V, +20 V SOIC SMD 8 Vollbrücke Enhancement 1,36 W 4
RS Best.-Nr. 871-5022
Herst. Teile-Nr.MDV1527URH
MarkeMagnaChip
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Stück (Auf einer Rolle von 25)
Stück
N 29 A 30 V 23,7 mΩ 2.7V - -20 V, +20 V PowerDFN33 SMD 8 Einfach Enhancement 23,5 W 1
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Herst. Teile-Nr.SIR496DP-T1-GE3
MarkeVishay
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Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 26 A 20 V 5,8 mΩ - 1.2V -20 V, +20 V PowerPAK SO SMD 8 Einfach Enhancement 27,7 W 1
RS Best.-Nr. 168-4711
Herst. Teile-Nr.IXFR64N60Q3
MarkeIXYS
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Herst. Teile-Nr.IXFR64N60Q3
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Stück
Stück
N 42 A 600 V 104 mΩ 6.5V - -30 V, +30 V ISOPLUS247 Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 568 W 1
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Herst. Teile-Nr.ZXMHC6A07N8TC
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Stück
N, P 1,4 A; 1,8 A 60 V 350 mΩ 3V - -20 V, +20 V SOIC SMD 8 Vollbrücke Enhancement 1,36 W 4
RS Best.-Nr. 170-3039
Herst. Teile-Nr.MDV1527URH
MarkeMagnaChip
CHF.0.164
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N 29 A 30 V 23,7 mΩ 2.7V - -20 V, +20 V PowerDFN33 SMD 8 Einfach Enhancement 23,5 W 1
RS Best.-Nr. 920-8714
Herst. Teile-Nr.STL36N55M5
CHF.2.493
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 22 A 600 V 90 mΩ 5V 3V –25 V, +25 V PowerFLAT HS SMD 5 Einfach Enhancement 2,8 W 1