MOSFET

MOSFET, auch MOSFET-Transistoren, steht für Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Feldeffekt bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. Er funktioniert ähnlich wie ein Schalter und wird zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungsmodus?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung.Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs ähneln einem variablen Widerstand und sind im Allgemeinen beliebter als Verarmungsmodus-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Source.Leistungs-MOSFETs ähneln Standard-MOSFETs, sind jedoch für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

Wo liegen die Unterscheide zwischen N-Kanal-und P-Kanal-MOSFETs?

MOSFETs bestehen aus P- oder N-dotiertem Silizium.
  • N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
  • P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

Wo werden MOSFETs verwendet?

MOSFETs finden sich in vielen Anwendungen wie Mikroprozessoren und anderen Speicherkomponenten. MOSFET-Transistoren werden am häufigsten als spannungsgesteuerter Schalter in Schaltkreisen verwendet.

Was bedeutet MOSFET?

Dies ist die englische Abkürzung für metal oxide semiconductor field-effect transistor

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RS Best.-Nr. 792-0885
Herst. Teile-Nr.BSS123,215
MarkeNexperia
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Stück (Auf einer Rolle von 100)
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N 150 mA 100 V 6 Ω SOT-23 2.8V SMD 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 250 mW Einfach 1
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Herst. Teile-Nr.BSH108,215
MarkeNexperia
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Stück (In einer VPE à 20)
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MarkeNexperia
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N 1,9 A 30 V 120 mΩ SOT-23 (TO-236AB) 2V SMD 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 830 mW Einfach 1
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P 230 mA 30 V 6,5 Ω SOT-23 1.1V SMD 0.6V 3 –8 V, +8 V Enhancement 1,14 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 792-0894
Herst. Teile-Nr.BSS138BK,215
MarkeNexperia
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Stück (Auf einer Rolle von 50)
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N 360 mA 60 V 1,6 Ω SOT-23 1.6V SMD 0.48V 3 -20 V, +20 V Enhancement 420 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 484-5560
Herst. Teile-Nr.BSH103,215
MarkeNexperia
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RS Best.-Nr. 124-2289
Herst. Teile-Nr.BSS138BK,215
MarkeNexperia
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N 360 mA 60 V 1,6 Ω SOT-23 1.6V SMD 0.48V 3 -20 V, +20 V Enhancement 420 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 166-0077
Herst. Teile-Nr.PSMN015-60BS,118
MarkeNexperia
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N 50 A 60 V 23,7 mΩ D2PAK (TO-263) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 86 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 508-591
Herst. Teile-Nr.BSP122,115
MarkeNexperia
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N 550 mA 200 V 2,5 Ω SOT-223 (SC-73) 2V SMD 0.4V 4 -20 V, +20 V Enhancement 1,5 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 103-7554
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RS Best.-Nr. 798-2833
Herst. Teile-Nr.PSMN015-60BS,118
MarkeNexperia
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RS Best.-Nr. 798-3044
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MarkeNexperia
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N 44 A 30 V 12,1 mΩ SOT-669 1.95V SMD 1.05V 4 -20 V, +20 V Enhancement 34 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-7064
Herst. Teile-Nr.PHK12NQ03LT,518
MarkeNexperia
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Stück
N 11,8 A 30 V 10,5 mΩ SOIC 2V SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 2,5 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 153-0725
Herst. Teile-Nr.PMDXB950UPEZ
MarkeNexperia
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P –500 mA –20 V 3,5 Ω DFN1010B-6, SOT1216 -0.95V SMD -0.45V 8 8 V Enhancement 4025 mW - 6
RS Best.-Nr. 166-0053
Herst. Teile-Nr.BSS84AK,215
MarkeNexperia
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RS Best.-Nr. 153-0673
Herst. Teile-Nr.BUK7M12-60EX
MarkeNexperia
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N 53 A 60 V 27 mΩ LFPAK33, Power33 4.5V SMD 1V 4 20 V Enhancement 75 W Einfach 1
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Herst. Teile-Nr.PMDXB600UNEZ
MarkeNexperia
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N 600 mA 20 V 3 Ω DFN1010B-6, SOT1216 0.95V SMD 0.45V 8 8 V Enhancement 4025 mW - 6
RS Best.-Nr. 124-2415
Herst. Teile-Nr.PSMN7R0-60YS,115
MarkeNexperia
CHF.0.386
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N 89 A 60 V 10,2 mΩ SOT-669 4V SMD 2V 4 -20 V, +20 V Enhancement 117 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 798-3028
Herst. Teile-Nr.PSMN7R0-60YS,115
MarkeNexperia
CHF.0.398
Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 5)
Stück
N 89 A 60 V 10,2 mΩ SOT-669 4V SMD 2V 4 -20 V, +20 V Enhancement 117 W Einfach 1