MOSFET

MOSFET, auch MOSFET-Transistoren genannt, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. Er funktioniert ähnlich wie ein Schalter und wird zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungsmodus?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs ähneln einem variablen Widerstand und sind im Allgemeinen beliebter als Verarmungsmodus-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Source. Leistungs-MOSFETs ähneln Standard-MOSFETs, sind jedoch für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

Wo liegen die Unterscheide zwischen N-Kanal-und P-Kanal-MOSFETs?

MOSFETs bestehen aus P- oder N-dotiertem Silizium.
  • N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
  • P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

Wo werden MOSFETs verwendet?

MOSFETs finden sich in vielen Anwendungen wie Mikroprozessoren und anderen Speicherkomponenten. MOSFET-Transistoren werden am häufigsten als spannungsgesteuerter Schalter in Schaltkreisen verwendet.

Was bedeutet MOSFET?

Dies ist die englische Abkürzung für ’metal oxide semicMOSFET-Treiberonductor field-effect transistor’

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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gate-Schwellenspannung max. Gate-Schwellenspannung min. Gate-Source Spannung max. Gehäusegröße Montage-Typ Pinanzahl Transistor-Konfiguration Channel-Modus Verlustleistung max. Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 170-4341
Herst. Teile-Nr.DN2540N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.468
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
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RS Best.-Nr. 829-3235
Herst. Teile-Nr.DN2540N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.492
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 120 mA 400 V 25 Ω 3.5V - -20 V, +20 V TO-92 Durchsteckmontage 3 Einfach Depletion 1 W 1
RS Best.-Nr. 829-3320
Herst. Teile-Nr.DN2530N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.527
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 175 mA 300 V 12 Ω 3.5V - -20 V, +20 V TO-92 Durchsteckmontage 3 Einfach Depletion 740 mW 1
RS Best.-Nr. 165-4216
Herst. Teile-Nr.TP2104N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.445
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
P 175 mA 40 V 10 Ω 2V - -20 V, +20 V TO-92 Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 740 mW 1
RS Best.-Nr. 829-3354
Herst. Teile-Nr.DN3535N8-G
MarkeMicrochip
CHF.0.597
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 230 mA 350 V 10 Ω 3.5V - -20 V, +20 V TO-243AA SMD 4 Einfach Depletion 1,6 W 1
RS Best.-Nr. 144-5876
Herst. Teile-Nr.VN2410L-G
MarkeMicrochip
CHF.0.679
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
- - - - - - - TO-92 Durchsteckmontage 3 - - - -
RS Best.-Nr. 879-3270
Herst. Teile-Nr.TP2104N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.492
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
P 175 mA 40 V 10 Ω 2V - -20 V, +20 V TO-92 Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 740 mW 1
RS Best.-Nr. 178-5275
Herst. Teile-Nr.LND150N8-G
MarkeMicrochip
CHF.0.468
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Stück
N 30 mA 500 V 1 kΩ 3V - -20 V, +20 V TO-243AA SMD 4 Einfach Depletion 1,6 W 1
RS Best.-Nr. 829-3244
Herst. Teile-Nr.DN2540N5-G
MarkeMicrochip
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Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 500 mA 400 V 25 Ω 3.5V - -20 V, +20 V TO-220 Durchsteckmontage 3 Einfach Depletion 15 W 1
RS Best.-Nr. 178-5359
Herst. Teile-Nr.DN3765K4-G
MarkeMicrochip
CHF.1.638
Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Stück
N 300 mA 650 V 8 Ω 3.5V - -20 V, +20 V DPAK (TO-252) SMD 3 Einfach Depletion 2,5 W 1
RS Best.-Nr. 911-3357
Herst. Teile-Nr.MIC94053YC6-TR
MarkeMicrochip
CHF.0.492
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
P 2 A 6 V 180 mΩ 1.2V 0.5V –6 V SOT-363 (SC-70) SMD 6 Einfach Enhancement 270 mW 1
RS Best.-Nr. 170-4347
Herst. Teile-Nr.DN2535N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.527
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
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RS Best.-Nr. 165-4217
Herst. Teile-Nr.VN2222LL-G
MarkeMicrochip
CHF.0.304
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
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N 230 mA 60 V 7,5 Ω 2.5V - -30 V, +30 V TO-92 Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 1 W 1
RS Best.-Nr. 170-4346
Herst. Teile-Nr.DN2530N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.468
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
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RS Best.-Nr. 829-3358
Herst. Teile-Nr.DN3545N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.597
Stück (In einer VPE à 10)
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N 130 mA 450 V 20 Ω 3.5V - -20 V, +20 V TO-92 Durchsteckmontage 3 Einfach Depletion 740 mW 1
RS Best.-Nr. 165-4059
Herst. Teile-Nr.MIC94053YC6-TR
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Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 2 A 6 V 180 mΩ 1.2V 0.5V –6 V SOT-363 (SC-70) SMD 6 Einfach Enhancement 270 mW 1
RS Best.-Nr. 170-4348
Herst. Teile-Nr.DN3545N3-G
MarkeMicrochip
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Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
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RS Best.-Nr. 165-6450
Herst. Teile-Nr.DN3135K1-G
MarkeMicrochip
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N 72 mA 350 V 35 Ω - - -3,5 V SOT SMD 3 Einfach Depletion 360 mW 1
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MarkeMicrochip
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Stück (In einer VPE à 10)
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N 190 mA 240 V 10 Ω 2V - -20 V, +20 V TO-92 Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 1 W 1
RS Best.-Nr. 165-5144
Herst. Teile-Nr.DN3135K1-G
MarkeMicrochip
CHF.0.398
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 72 mA 350 V 35 Ω - - -3,5 V SOT SMD 3 Einfach Depletion 360 mW 1