MOSFET

MOSFET, auch MOSFET-Transistoren, steht für Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Feldeffekt bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. Er funktioniert ähnlich wie ein Schalter und wird zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungsmodus?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung.Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs ähneln einem variablen Widerstand und sind im Allgemeinen beliebter als Verarmungsmodus-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Source.Leistungs-MOSFETs ähneln Standard-MOSFETs, sind jedoch für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

Wo liegen die Unterscheide zwischen N-Kanal-und P-Kanal-MOSFETs?

MOSFETs bestehen aus P- oder N-dotiertem Silizium.
  • N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
  • P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

Wo werden MOSFETs verwendet?

MOSFETs finden sich in vielen Anwendungen wie Mikroprozessoren und anderen Speicherkomponenten. MOSFET-Transistoren werden am häufigsten als spannungsgesteuerter Schalter in Schaltkreisen verwendet.

Was bedeutet MOSFET?

Dies ist die englische Abkürzung für metal oxide semiconductor field-effect transistor

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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 177-2938
Herst. Teile-Nr.MIC94052YC6-TR
MarkeMicrochip
CHF.0.492
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 2 A 6 V 180 mΩ SC-70 1.2V SMD 0.5V 6 –6 V - 270 mW Einfach 2
RS Best.-Nr. 177-3277
Herst. Teile-Nr.DN2470K4-G
MarkeMicrochip
CHF.0.831
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 170 mA 700 V 42 Ω TO-252 - SMD - 4 20 V Depletion 2,5 W Einfach 2
RS Best.-Nr. 178-5338
Herst. Teile-Nr.LND01K1-G
MarkeMicrochip
CHF.0.281
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 330 mA 9 V 1,4 Ω SOT-23 - SMD - 5 -12 V, +0,6 V Depletion 360 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9708
Herst. Teile-Nr.VN2460N8-G
MarkeMicrochip
CHF.0.90
Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Stück
N 200 mA 600 V 25 Ω TO-243AA 4V SMD 1.5V 3 20 V Enhancement 1,6 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9734
Herst. Teile-Nr.TN0106N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.831
Stück (In einer VPE à 20)
Stück
N 350 mA 60 V 4,5 Ω TO-92 2V Durchsteckmontage 0.6V 3 20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9690
Herst. Teile-Nr.TN0110N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.819
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
N 350 mA 100 V 4,5 Ω TO-92 2V Durchsteckmontage 0.6V 3 20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 165-4217
Herst. Teile-Nr.VN2222LL-G
MarkeMicrochip
CHF.0.35
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
N 230 mA 60 V 7,5 Ω TO-92 2.5V Durchsteckmontage - 3 -30 V, +30 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9737
Herst. Teile-Nr.VP2450N8-G
MarkeMicrochip
CHF.1.662
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
P 160 mA 500 V 35 Ω SOT-89 3.5V SMD 1.5V 3 20 V Enhancement 1,6 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 165-4218
Herst. Teile-Nr.VP2106N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.421
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
P 250 mA 60 V 15 Ω TO-92 3.5V Durchsteckmontage - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 165-5144
Herst. Teile-Nr.DN3135K1-G
MarkeMicrochip
CHF.0.410
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 72 mA 350 V 35 Ω SOT - SMD - 3 -3,5 V Depletion 360 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9706
Herst. Teile-Nr.VN10KN3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.386
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
N 310 mA 60 V 7,5 Ω TO-92 2.5V Durchsteckmontage 0.8V 3 30 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 170-4348
Herst. Teile-Nr.DN3545N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.585
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
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RS Best.-Nr. 177-9716
Herst. Teile-Nr.VN10KN3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.386
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 310 mA 60 V 7,5 Ω TO-92 2.5V Durchsteckmontage 0.8V 3 30 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9692
Herst. Teile-Nr.TN2106N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.445
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
N 300 mA 60 V 5 Ω TO-92 2V Durchsteckmontage 0.6V 3 20 V Enhancement 740 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9730
Herst. Teile-Nr.VN2460N8-G
MarkeMicrochip
CHF.1.205
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 200 mA 600 V 25 Ω TO-243AA 4V SMD 1.5V 3 20 V Enhancement 1,6 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 170-4342
Herst. Teile-Nr.LND150N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.398
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
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RS Best.-Nr. 165-4059
Herst. Teile-Nr.MIC94053YC6-TR
MarkeMicrochip
CHF.0.503
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 2 A 6 V 180 mΩ SOT-363 (SC-70) 1.2V SMD 0.5V 6 –6 V Enhancement 270 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9724
Herst. Teile-Nr.VN2106N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.328
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N 300 mA 60 V 6 Ω TO-92 2.4V Durchsteckmontage 0.8V 3 20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9689
Herst. Teile-Nr.TN0106N3-G
MarkeMicrochip
CHF.0.690
Stück (In in einem Beutel mit 1000)
Stück
N 350 mA 60 V 4,5 Ω TO-92 2V Durchsteckmontage 0.6V 3 20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 177-9691
Herst. Teile-Nr.TN2106K1-G
MarkeMicrochip
CHF.0.375
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 280 mA 60 V 5 Ω TO-236AB 2V SMD 0.6V 3 20 V Enhancement 360 mW Einfach 1