MOSFET

MOSFET, auch MOSFET-Transistoren genannt, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. Er funktioniert ähnlich wie ein Schalter und wird zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungsmodus?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs ähneln einem variablen Widerstand und sind im Allgemeinen beliebter als Verarmungsmodus-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Source. Leistungs-MOSFETs ähneln Standard-MOSFETs, sind jedoch für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

Wo liegen die Unterscheide zwischen N-Kanal-und P-Kanal-MOSFETs?

MOSFETs bestehen aus P- oder N-dotiertem Silizium.
  • N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
  • P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

Wo werden MOSFETs verwendet?

MOSFETs finden sich in vielen Anwendungen wie Mikroprozessoren und anderen Speicherkomponenten. MOSFET-Transistoren werden am häufigsten als spannungsgesteuerter Schalter in Schaltkreisen verwendet.

Was bedeutet MOSFET?

Dies ist die englische Abkürzung für ’metal oxide semicMOSFET-Treiberonductor field-effect transistor’

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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gate-Schwellenspannung max. Gate-Schwellenspannung min. Gate-Source Spannung max. Gehäusegröße Montage-Typ Pinanzahl Transistor-Konfiguration Channel-Modus Verlustleistung max. Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 165-6823
Herst. Teile-Nr.BSS308PEH6327XTSA1
MarkeInfineon
CHF.0.105
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 1,6 A 30 V 130 mΩ 1V 2V -20 V, +20 V SOT-23 SMD 3 Einfach Enhancement 500 mW 1
RS Best.-Nr. 752-8173
Herst. Teile-Nr.BSC120N03LSGATMA1
MarkeInfineon
CHF.0.620
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 39 A 30 V 16,5 mΩ 2.2V 1V -20 V, +20 V TDSON SMD 8 Einfach Enhancement 2,5 W 1
RS Best.-Nr. 541-1180
Herst. Teile-Nr.IRF520NPBF
MarkeInfineon
CHF.1.006
Stück
Stück
N 9,7 A 100 V 200 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V TO-220AB Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 48 W 1
RS Best.-Nr. 906-4381
Herst. Teile-Nr.BSC010N04LSATMA1
MarkeInfineon
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Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 100 A 40 V 1,3 mΩ - - -20 V, +20 V TDSON SMD 8 Einfach Enhancement 139 W 1
RS Best.-Nr. 168-7942
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NTRPBF
MarkeInfineon
CHF.0.386
Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Stück
P 11 A 55 V 175 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V DPAK (TO-252) SMD 3 Einfach Enhancement 38 W 1
RS Best.-Nr. 919-4870
Herst. Teile-Nr.IRL520NPBF
MarkeInfineon
CHF.0.737
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
N 10 A 100 V 180 mΩ 2V 1V –16 V, +16 V TO-220AB Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 48 W 1
RS Best.-Nr. 541-1196
Herst. Teile-Nr.IRL520NPBF
MarkeInfineon
CHF.0.878
Stück
Stück
N 10 A 100 V 180 mΩ 2V 1V –16 V, +16 V TO-220AB Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 48 W 1
RS Best.-Nr. 919-4826
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NPBF
MarkeInfineon
CHF.0.737
Stück (In einer Stange von 75)
Stück
P 11 A 55 V 175 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V DPAK (TO-252) SMD 3 Einfach Enhancement 38 W 1
RS Best.-Nr. 823-5500
Herst. Teile-Nr.BSS308PEH6327XTSA1
MarkeInfineon
CHF.0.328
Stück (In einer VPE à 50)
Stück
P 1,6 A 30 V 130 mΩ 1V 2V -20 V, +20 V SOT-23 SMD 3 Einfach Enhancement 500 mW 1
RS Best.-Nr. 165-8292
Herst. Teile-Nr.IRFS4310ZTRLPBF
MarkeInfineon
CHF.1.264
Stück (Auf einer Rolle von 800)
Stück
N 127 A 100 V 6 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V D2PAK (TO-263) SMD 3 Einfach Enhancement 250 W 1
RS Best.-Nr. 541-0109
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NPBF
MarkeInfineon
CHF.0.913
Stück
Stück
P 11 A 55 V 175 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V DPAK (TO-252) SMD 3 Einfach Enhancement 38 W 1
RS Best.-Nr. 911-4852
Herst. Teile-Nr.BSC120N03LSGATMA1
MarkeInfineon
CHF.0.246
Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Stück
N 39 A 30 V 16,5 mΩ 2.2V 1V -20 V, +20 V TDSON SMD 8 - Enhancement 2,5 W 1
RS Best.-Nr. 915-5045
Herst. Teile-Nr.IRFS4310ZTRLPBF
MarkeInfineon
CHF.1.276
Stück (In einer VPE à 4)
Stück
N 127 A 100 V 6 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V D2PAK (TO-263) SMD 3 Einfach Enhancement 250 W 1
RS Best.-Nr. 827-4088
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NTRPBF
MarkeInfineon
CHF.0.737
Stück (In einer VPE à 20)
Stück
P 11 A 55 V 175 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V DPAK (TO-252) SMD 3 Einfach Enhancement 38 W 1
RS Best.-Nr. 919-4876
Herst. Teile-Nr.IRF520NPBF
MarkeInfineon
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Stück (In einer Stange von 50)
Stück
N 9,7 A 100 V 200 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V TO-220AB Durchsteckmontage 3 Einfach Enhancement 48 W 1
RS Best.-Nr. 165-5896
Herst. Teile-Nr.IRF540NSTRRPBF
MarkeInfineon
CHF.0.609
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Stück
N 33 A 100 V 44 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V D2PAK (TO-263) SMD 3 Einfach Enhancement 130 W 1
RS Best.-Nr. 911-4978
Herst. Teile-Nr.BSP318SH6327XTSA1
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N 2,6 A 60 V 150 mΩ 2V 1.2V -20 V, +20 V SOT-223 SMD 3 + Tab Einfach Enhancement 1,8 W 1
RS Best.-Nr. 165-7514
Herst. Teile-Nr.BSP373NH6327XTSA1
MarkeInfineon
CHF.0.304
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Stück
N 1,7 A 100 V 300 mΩ 4V 2.1V -20 V, +20 V SOT-223 SMD 3 + Tab Einfach Enhancement 1,8 W 1
RS Best.-Nr. 124-8993
Herst. Teile-Nr.IRF4905SPBF
MarkeInfineon
CHF.2.411
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
P 74 A 55 V 20 mΩ 4V 2V -20 V, +20 V D2PAK (TO-263) SMD 3 Einfach Enhancement 3,8 W 1
RS Best.-Nr. 906-4407
Herst. Teile-Nr.IPT007N06NATMA1
MarkeInfineon
CHF.5.80
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
N 300 A 60 V 1 mΩ - - -20 V, +20 V HSOF SMD 8 Einfach Enhancement 375 W 1