MOSFET

MOSFET, auch MOSFET-Transistoren, steht für Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Feldeffekt bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. Er funktioniert ähnlich wie ein Schalter und wird zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.


Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich.


Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungsmodus?


MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung.
Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs ähneln einem variablen Widerstand und sind im Allgemeinen beliebter als Verarmungsmodus-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.


Wie funktionieren MOSFETs?


Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Source.
Leistungs-MOSFETs ähneln Standard-MOSFETs, sind jedoch für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.


Wo liegen die Unterscheide zwischen N-Kanal-und P-Kanal-MOSFETs?


MOSFETs bestehen aus P- oder N-dotiertem Silizium.
  • N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

  • P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

Wo werden MOSFETs verwendet?


MOSFETs finden sich in vielen Anwendungen wie Mikroprozessoren und anderen Speicherkomponenten. MOSFET-Transistoren werden am häufigsten als spannungsgesteuerter Schalter in Schaltkreisen verwendet.


Was bedeutet MOSFET?


Dies ist die englische Abkürzung für ’metal oxide semiconductor field-effect transistor’


Sie suchen nach MOSFET-Treiber?


MOSFET-Treiber

...
Weiterlesen Weniger anzeigen

Filter

Anzeige 241 - 260 von 10720 Produkten
Produkte pro Seite
Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 710-3257
Herst. Teile-Nr.SI2308BDS-T1-GE3
MarkeVishay
CHF.0.43
Stück (In einer VPE à 20)
Stück
N 1,9 A 60 V 156 mΩ SOT-23 (TO-236) - SMD 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,09 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 864-4752
Herst. Teile-Nr.FDMS86200
CHF.1.006
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 35 A 150 V 34 mΩ Leistung 56 - SMD 2V 8 -20 V, +20 V Enhancement 104 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 166-1889
Herst. Teile-Nr.FQP9N90C
CHF.2.574
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
N 8 A 900 V 1,4 Ω TO-220AB - Durchsteckmontage 3V 3 -30 V, +30 V Enhancement 205 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 913-4073
Herst. Teile-Nr.IRLML6344TRPBF
MarkeInfineon
CHF.0.129
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 5 A 30 V 37 mΩ SOT-23 1.1V SMD 0.5V 3 -12 V, +12 V Enhancement 1,3 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 739-0224
Herst. Teile-Nr.2N7000TA
CHF.0.304
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 200 mA 60 V 5 Ω TO-92 - Durchsteckmontage 0.3V 3 -30 V, +30 V Enhancement 400 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 169-0688
Herst. Teile-Nr.DMN2400UV-7
CHF.0.094
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 1,33 A 20 V 1,5 Ω SOT-563 0.9V SMD - 6 -12 V, +12 V Enhancement 530 mW Isoliert 2
RS Best.-Nr. 725-9344
Herst. Teile-Nr.IRLML0030TRPBF
MarkeInfineon
CHF.0.304
Stück (In einer VPE à 20)
Stück
N 5,3 A 30 V 27 mΩ SOT-23 2.3V SMD 1.3V 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,3 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 751-4266
Herst. Teile-Nr.DMP3098L-7
CHF.0.281
Stück (In einer VPE à 50)
Stück
P 3,8 A 30 V 120 mΩ SOT-23 2.1V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,08 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 543-0046
Herst. Teile-Nr.IRF610PBF
MarkeVishay
CHF.0.702
Stück
Stück
N 3,3 A 200 V 1,5 Ω TO-220AB - Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 36 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 826-9954
Herst. Teile-Nr.BSS138NH6327XTSA2
MarkeInfineon
CHF.0.105
Stück (Auf einer Rolle von 500)
Stück
N 230 mA 60 V 6 Ω SOT-23 1.4V SMD 0.6V 3 -20 V, +20 V Enhancement 360 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 864-8442
Herst. Teile-Nr.FDMS86163P
CHF.2.317
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
P 7,9 A 100 V 36 mΩ Leistung 56 - SMD 2V 8 –25 V, +25 V Enhancement 104 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 159-6521
Herst. Teile-Nr.SI1077X-T1-GE3
MarkeVishay
CHF.0.140
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 760 mA 30 V 244 mΩ SOT-523 (SC-89) - SMD 0.7V 6 -12 V, +12 V Enhancement 236 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 168-8757
Herst. Teile-Nr.IRF7103TRPBF
MarkeInfineon
CHF.0.281
Stück (Auf einer Rolle von 4000)
Stück
N 3 A 50 V 200 mΩ SOIC 3V SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 2 W Isoliert 2
RS Best.-Nr. 737-7225
Herst. Teile-Nr.IRLML6344TRPBF
MarkeInfineon
CHF.0.328
Stück (In einer VPE à 20)
Stück
N 5 A 30 V 37 mΩ SOT-23 1.1V SMD 0.5V 3 -12 V, +12 V Enhancement 1,3 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 907-5028
Herst. Teile-Nr.IRF540NLPBF
MarkeInfineon
CHF.1.381
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 33 A 100 V 44 mΩ I2PAK (TO-262) - Durchsteckmontage - 3 -20 V, +20 V Enhancement 130 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 103-1999
Herst. Teile-Nr.STF13NM60N
CHF.2.937
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
N 11 A 600 V 360 mΩ TO-220FP 4V Durchsteckmontage 2V 3 –25 V, +25 V Enhancement 25 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-0837
Herst. Teile-Nr.IRF9610PBF
MarkeVishay
CHF.1.33
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
- - - - - - - - - - - - - -
RS Best.-Nr. 892-2377
Herst. Teile-Nr.BSS314PEH6327XTSA1
MarkeInfineon
CHF.0.140
Stück (In einer VPE à 100)
Stück
P 1,5 A 30 V 230 mΩ SOT-23 2V SMD 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 500 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 743-6074
Herst. Teile-Nr.TSM2323CX RFG
CHF.0.176
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
P 4,7 A 20 V 68 mΩ SOT-23 1V SMD - 3 –8 V, +8 V Enhancement 1,25 W - 1
RS Best.-Nr. 897-7633
Herst. Teile-Nr.IPW65R045C7FKSA1
MarkeInfineon
CHF.11.070
Stück
Stück
N 46 A 700 V 45 mΩ TO-247 - Durchsteckmontage - 3 -30 V, +30 V Enhancement 227 W Einfach 1