MOSFET

MOSFET, auch MOSFET-Transistoren, steht für Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Feldeffekt bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. Er funktioniert ähnlich wie ein Schalter und wird zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungsmodus?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung.Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs ähneln einem variablen Widerstand und sind im Allgemeinen beliebter als Verarmungsmodus-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Source.Leistungs-MOSFETs ähneln Standard-MOSFETs, sind jedoch für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

Wo liegen die Unterscheide zwischen N-Kanal-und P-Kanal-MOSFETs?

MOSFETs bestehen aus P- oder N-dotiertem Silizium.
  • N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
  • P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

Wo werden MOSFETs verwendet?

MOSFETs finden sich in vielen Anwendungen wie Mikroprozessoren und anderen Speicherkomponenten. MOSFET-Transistoren werden am häufigsten als spannungsgesteuerter Schalter in Schaltkreisen verwendet.

Was bedeutet MOSFET?

Dies ist die englische Abkürzung für metal oxide semiconductor field-effect transistor

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RS Best.-Nr. 541-1196
Herst. Teile-Nr.IRL520NPBF
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Herst. Teile-Nr.FDMC86102L
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Stück (Auf einer Rolle von 3000)
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Herst. Teile-Nr.FDMC86102L
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Stück
N 30 A 100 V 39 mΩ Leistung 33 - SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 41 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-4687
Herst. Teile-Nr.BSS138LT3G
CHF.0.035
Stück (Auf einer Rolle von 10000)
Stück
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RS Best.-Nr. 103-2965
Herst. Teile-Nr.BSS138LT1G
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N 200 mA 50 V 3,5 Ω SOT-23 1.5V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 225 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 165-8336
Herst. Teile-Nr.DMN3053L-7
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N 4 A 30 V 55 mΩ SOT-23 1.4V SMD 0.6V 3 -12 V, +12 V Enhancement 1,2 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 827-4088
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NTRPBF
MarkeInfineon
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Stück
P 11 A 55 V 175 mΩ DPAK (TO-252) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 38 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 919-4826
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NPBF
MarkeInfineon
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Stück (In einer Stange von 75)
Stück
P 11 A 55 V 175 mΩ DPAK (TO-252) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 38 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 751-5344
Herst. Teile-Nr.ZXMHC3F381N8TC
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Stück (In einer VPE à 5)
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N, P 4,1 A; 4,98 A 30 V 60 mΩ, 80 mΩ SOIC 3V SMD - 8 -20 V, +20 V Enhancement 1,35 W Vollbrücke 4
RS Best.-Nr. 168-7942
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NTRPBF
MarkeInfineon
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P 11 A 55 V 175 mΩ DPAK (TO-252) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 38 W Einfach 1
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RS Best.-Nr. 921-1278
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Stück (In einer VPE à 50)
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N 4 A 30 V 55 mΩ SOT-23 1.4V SMD 0.6V 3 -12 V, +12 V Enhancement 1,2 W Einfach 1
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RS Best.-Nr. 671-0435
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P 2 A 20 V 70 mΩ SOT-23 - SMD 0.4V 3 –8 V, +8 V Enhancement 500 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 787-9046
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N 300 mA 60 V 2,5 Ω SOT-523 (SC-89) - SMD 1V 6 -20 V, +20 V Enhancement 250 mW Isoliert 2
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RS Best.-Nr. 823-5500
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Herst. Teile-Nr.BSS308PEH6327XTSA1
MarkeInfineon
CHF.0.12
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Stück
P 1,6 A 30 V 130 mΩ SOT-23 1V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 500 mW Einfach 1