Transistoren HEMT

Transistoren HEMT sind FETs (Feldeffekttransistoren) – Transistoren die ein elektrisches Feld verwenden, um das elektrische Verhalten eines Geräts zu steuern – werden verwendet um sehr hohe Leistung bei Mikrowellenfrequenzen zu erreichen.




Wie funktionieren Transistoren HEMT?


Transistoren HEMT verfügen über eine spezielle PN-Schnittstelle (positiv-negativ), die aus verschiedenen Materialien auf beiden Seiten der Sperrschicht besteht. Die verwendeten Materialien bieten ein hohes Maß an grundlegender Elektronenmobilität, die für den Betrieb des Geräts entscheidend ist. Sie bieten eine Kombination aus der Fähigkeit, mit sehr hohen Frequenzwerten zu arbeiten, und einem niedrigem Rauschpegel.




Wofür werden Transistoren HEMT verwendet?


Transistoren HEMT werden häufig in Mikrowellen-Kommunikationsverbindungen und mobilen Telekommunikations- und zahlreichen anderen HF-Funkanwendungen eingesetzt. Wie andere FETs werden sie als Verstärker für große Strommengen mit einem Niederspannungs-Steuersignal verwendet. Sie werden außerdem in ICs (integrierten Schaltkreisen) als digitale Ein/Aus-Schalter verwendet.




Transistoren HEMT sind auch in Hochfrequenzprodukten zu finden wie:


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Beschreibung Preis Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Gate-Source Spannung max. Drain-Gate-Spannung max. Gehäusegröße Pinanzahl Konfiguration Verlustleistung max. Abmessungen Höhe Länge Betriebstemperatur max. Breite Montage-Typ
RS Best.-Nr. 839-9941
Herst. Teile-Nr.ATF-34143-BLKG
MarkeBroadcom
CHF.3.674
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
145 mA 5,5 V -5 V -5V SOT-343 4 Dual Source 725 mW 2.25 x 1.35 x 1mm 1mm 2.25mm +160 °C 1.35mm SMD
RS Best.-Nr. 716-0610
Herst. Teile-Nr.VMMK-1218-BLKG
MarkeBroadcom
CHF.3.604
Stück
Stück
100 mA 5 V -5 V, +1 V 1V SMD 3 Single 300 W 1 x 0.5 x 0.25mm 0.25mm 1mm +150 °C 0.5mm SMD