MOSFET

MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.


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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 807-6692
Herst. Teile-Nr.HUF75639G3
CHF.2.762
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
N 56 A 100 V 25 mΩ TO-247 - Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 200 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 864-8063
Herst. Teile-Nr.FDD2572_F085
CHF.0.468
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 29 A 150 V 146 mΩ DPAK (TO-252) - SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 135 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 864-8017
Herst. Teile-Nr.FDC642P_F085
CHF.0.503
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
P 4 A 20 V 105 mΩ SOT-23 - SMD 0.4V 6 –8 V, +8 V Enhancement 1,2 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 124-1747
Herst. Teile-Nr.FDP038AN06A0
CHF.2.914
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
N 17 A 60 V 4 mΩ TO-220AB - Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 310 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 169-8538
Herst. Teile-Nr.NDS0610
CHF.0.059
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 120 mA 60 V 10 Ω SOT-23 - SMD 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 360 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 671-4847
Herst. Teile-Nr.FDP52N20
CHF.1.322
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 52 A 200 V 41 mΩ TO-220AB - Durchsteckmontage 3V 3 -30 V, +30 V Enhancement 357 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 864-8111
Herst. Teile-Nr.FDD8444_F085
CHF.0.55
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 145 A 40 V 9,4 mΩ DPAK (TO-252) - SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 153 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 759-9059
Herst. Teile-Nr.FDD2572
CHF.1.615
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
N 29 A 150 V 146 mΩ DPAK (TO-252) - SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 135 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 671-4755
Herst. Teile-Nr.FCP7N60
CHF.1.627
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 7 A 600 V 600 mΩ TO-220AB - Durchsteckmontage 3V 3 -30 V, +30 V Enhancement 83 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 807-5920
Herst. Teile-Nr.FQT1N80TF_WS
CHF.0.620
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 200 mA 800 V 20 Ω SOT-223 - SMD 3V 3 + Tab -30 V, +30 V Enhancement 2,1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 759-9049
Herst. Teile-Nr.FDD10AN06A0
CHF.1.521
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 50 A 60 V 23 mΩ DPAK (TO-252) - SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 135 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 759-9709
Herst. Teile-Nr.FDS89161
CHF.1.814
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 2,7 A 100 V 176 mΩ SOIC - SMD 2V 8 -20 V, +20 V Enhancement 31 W Isoliert 2
RS Best.-Nr. 864-8048
Herst. Teile-Nr.FDD14AN06LA0_F085
CHF.1.041
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 50 A 60 V 33 mΩ DPAK 3V SMD 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 125 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 759-9579
Herst. Teile-Nr.FDMC8884
CHF.1.123
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 24 A 30 V 30 mΩ MLP - SMD 1.4V 8 -20 V, +20 V Enhancement 18 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 671-0501
Herst. Teile-Nr.FDS3692
CHF.0.971
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 4,5 A 100 V 60 mΩ SOIC - SMD 2V 8 -20 V, +20 V Enhancement 2,5 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 671-5354
Herst. Teile-Nr.FQU20N06LTU
CHF.0.737
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 17 A 60 V 60 mΩ IPAK (TO-251) - Durchsteckmontage 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 2,5 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 671-4821
Herst. Teile-Nr.FDP3651U
CHF.1.966
Stück
Stück
N 80 A 100 V 18 mΩ TO-220AB - Durchsteckmontage 3.5V 3 -20 V, +20 V Enhancement 255 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 807-5857
Herst. Teile-Nr.FQH8N100C
CHF.3.066
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
N 8 A 1000 V 1,45 Ω TO-247 - Durchsteckmontage 3V 3 -30 V, +30 V Enhancement 225 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 739-6260
Herst. Teile-Nr.FDMC4435BZ
CHF.0.737
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
P 32 A 30 V 37 mΩ MLP - SMD 1V 8 –25 V, +25 V Enhancement 31 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 759-9532
Herst. Teile-Nr.FDMC7696
CHF.0.363
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 38 A 30 V 15,7 mΩ MLP - SMD 1.2V 8 -20 V, +20 V Enhancement 25 W Einfach 1