MOSFET

MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.


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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 787-9046
Herst. Teile-Nr.SI1026X-T1-GE3
MarkeVishay
CHF.0.316
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 300 mA 60 V 2,5 Ω SOT-523 (SC-89) - SMD 1V 6 -20 V, +20 V Enhancement 250 mW Isoliert 2
RS Best.-Nr. 541-0531
Herst. Teile-Nr.IRFD210PBF
MarkeVishay
CHF.0.983
Stück
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N 600 mA 200 V 1,5 Ω HVMDIP - Durchsteckmontage 2V 4 -20 V, +20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 690-0136
Herst. Teile-Nr.BSS138LT3G
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Stück (In einer VPE à 25)
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N 200 mA 50 V 3,5 Ω SOT-23 1.5V SMD 0.5V 3 -20 V, +20 V Enhancement 225 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 919-4870
Herst. Teile-Nr.IRL520NPBF
MarkeInfineon
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N 10 A 100 V 180 mΩ TO-220AB 2V Durchsteckmontage 1V 3 –16 V, +16 V Enhancement 48 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 165-8292
Herst. Teile-Nr.IRFS4310ZTRLPBF
MarkeInfineon
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Stück
N 127 A 100 V 6 mΩ D2PAK (TO-263) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 250 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 864-5027
Herst. Teile-Nr.FDMC86102L
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Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 18 A 100 V 39 mΩ MLP - SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 41 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 545-2529
Herst. Teile-Nr.BSS138LT1G
CHF.0.187
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 200 mA 50 V 3,5 Ω SOT-23 1.5V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 225 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 541-1180
Herst. Teile-Nr.IRF520NPBF
MarkeInfineon
CHF.0.983
Stück
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N 9,7 A 100 V 200 mΩ TO-220AB 4V Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 48 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 823-5500
Herst. Teile-Nr.BSS308PEH6327XTSA1
MarkeInfineon
CHF.0.316
Stück (In einer VPE à 50)
Stück
P 1,6 A 30 V 130 mΩ SOT-23 1V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 500 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 752-8173
Herst. Teile-Nr.BSC120N03LSGATMA1
MarkeInfineon
CHF.0.761
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
N 39 A 30 V 16,5 mΩ TDSON 2.2V SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 2,5 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-0916
Herst. Teile-Nr.IRFD210PBF
MarkeVishay
CHF.0.562
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Stück
N 600 mA 200 V 1,5 Ω HVMDIP - Durchsteckmontage 2V 4 -20 V, +20 V Enhancement 1 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 759-9550
Herst. Teile-Nr.FDMC86102L
CHF.1.45
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
N 30 A 100 V 39 mΩ Leistung 33 - SMD 1V 8 -20 V, +20 V Enhancement 41 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 919-4876
Herst. Teile-Nr.IRF520NPBF
MarkeInfineon
CHF.0.726
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
N 9,7 A 100 V 200 mΩ TO-220AB 4V Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 48 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 541-0109
Herst. Teile-Nr.IRFR9024NPBF
MarkeInfineon
CHF.1.147
Stück
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P 11 A 55 V 175 mΩ DPAK (TO-252) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 38 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-0812
Herst. Teile-Nr.IRF740PBF
MarkeVishay
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Stück (In einer Stange von 50)
Stück
N 10 A 400 V 550 mΩ TO-220AB - Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 125 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 124-8993
Herst. Teile-Nr.IRF4905SPBF
MarkeInfineon
CHF.2.35
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
P 74 A 55 V 20 mΩ D2PAK (TO-263) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 3,8 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 124-2287
Herst. Teile-Nr.BSH108,215
MarkeNexperia
CHF.0.105
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 1,9 A 30 V 120 mΩ SOT-23 (TO-236AB) 2V SMD 1V 3 -20 V, +20 V Enhancement 830 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 822-2627
Herst. Teile-Nr.DMP2100U-7
CHF.0.12
Stück (In einer VPE à 100)
Stück
P 3,4 A 20 V 75 mΩ SOT-23 1.4V SMD - 3 -10 V, +10 V Enhancement 1,3 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 830-6249
Herst. Teile-Nr.SIZ340DT-T1-GE3
MarkeVishay
CHF.0.831
Stück (In einer VPE à 20)
Stück
N 30 A, 40 A 30 V 7 mΩ, 13,7 mΩ PowerPAIR - SMD 1V 8 –16 V, +20 V Enhancement 16,7 W, 31 W Serie 2
RS Best.-Nr. 215-6688
Herst. Teile-Nr.BS250P
CHF.0.866
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
P 230 mA 45 V 14 Ω E-Line 3.5V Durchsteckmontage - 3 -20 V, +20 V Enhancement 700 mW Einfach 1