Infineon BFP840ESDH6327XTSA1 SMD, NPN Bipolarer Transistor 2,25 V / 35 mA 80 GHz, SOT-343 4-Pin

Eine Serie von ultra-rauscharmen bipolaren Breitband-HF-Transistoren, NPN, von Infineon. Diese bipolaren Geräte mit Hetero-Junction verwenden die SiGe:C-Technologie aus Silizium-Germanium von Infineon und sind besonders geeignet für den Einsatz in mobilen Anwendungen, in denen eine niedrige Leistungsaufnahme eine Grundvoraussetzung ist. Mit typischen Übergangsfrequenzen von bis zu 65 GHz bieten diese Geräte eine hohe Leistungsverstärkung bei Frequenzen von bis zu 10 GHz, wenn sie in Verstärkern eingesetzt werden. Die Transistoren enthalten interne Schaltungen für ESD- und Schutz vor übermäßiger HF-Eingangsspannung.

Bipolare Transistoren, Infineon