- RS Best.-Nr.:
- 166-0622
- Herst. Teile-Nr.:
- PBSS4350Z,135
- Marke:
- Nexperia
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Produktdetails
NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung
Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.
Bipolare Transistoren, Nexperia
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
DC Kollektorstrom max. | 3 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V |
Gehäusegröße | SOT-223 (SC-73) |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 2 W |
Gleichstromverstärkung min. | 200 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Kollektor-Basis-Spannung max. | 60 V |
Basis-Emitter Spannung max. | 6 V |
Arbeitsfrequenz max. | 100 MHz |
Pinanzahl | 4 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Abmessungen | 1.7 x 6.7 x 3.7mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 166-0622
- Herst. Teile-Nr.:
- PBSS4350Z,135
- Marke:
- Nexperia