Infineon BFP842ESDH6327XTSA1 SMD, NPN Transistor 3,25 V / 40 mA 60 GHz, SOT-343 4-Pin

Der BFP842ESD ist eine leistungsstarker HBT (Heterojunction Bipolar Transistor, Bipolartransistor mit Heteroübergang), speziell für 2,3–3,5 GHz-LNA-Anwendungen. Das Gerät basiert auf der zuverlässigen, hochvolumigen SiGe:C-Technologie von Infineon. Der BFP842ESD bietet von Natur aus gute Eingangsleistungsanpassung sowie gute Geräuschanpassung zwischen 2,3–3,5 GHz. Die gleichzeitige Rausch- und Leistungsanpassung ohne verlustbehaftete externe abgestimmte Komponenten am Eingang führt zu einer geringen Anzahl an externen Bauteilen, zu einem sehr guten Rauschpegel und zu einer sehr hohen Wandlerverstärkung der Anwendung.

Robuster, sehr rauscharmer Verstärker basierend auf der zuverlässigen, großvolumigenSiGe:C-Technologie von InfineonEinzigartige Kombination von High-End-HF-Leistung und RobustheitHohe LinearitätHohe ÜbergangsfrequenzWandlerverstärkungIdeal für NiederspannungsanwendungenNiedriger Energieverbrauch, ideal für mobile AnwendungenEinfach zu bedienendes bleifreies und halogenfreies Industriestandard-Gehäuse mit sichtbaren Kabeln