Infineon BCV62BE6327HTSA1 SMD, PNP Transistor Dual 30 V / 100 mA 250 MHz, SOT-143 4-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Angepasste duale NPN- und PNP-Transistoren mit gemeinsamer Basisverbindung für den Einsatz als Stromspiegelpaare

Gute Wärmekopplung und V_BE-Anpassung
Hohe Stromverstärkung
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Bipolare Transistoren, Infineon

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	PNP
DC Kollektorstrom max.	100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	30 V
Gehäusegröße	SOT-143
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	300 mW
Transistor-Konfiguration	Stromspiegel
Kollektor-Basis-Spannung max.	30 V
Basis-Emitter Spannung max.	6 V
Arbeitsfrequenz max.	250 MHz
Pinanzahl	4
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	2.9 x 1.3 x 1mm