STMicroelectronics Multilayer Chip-Balun Übertrager Oberflächenmontage 8-polig
- RS Best.-Nr.:
- 190-6833
- Herst. Teile-Nr.:
- EMIF03-SIM02M8
- Marke:
- STMicroelectronics
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| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 25 - 100 | CHF.0.368 | CHF.9.135 |
| 125 - 225 | CHF.0.347 | CHF.8.61 |
| 250 - 600 | CHF.0.326 | CHF.8.138 |
| 625 - 1225 | CHF.0.305 | CHF.7.665 |
| 1250 + | CHF.0.294 | CHF.7.298 |
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- RS Best.-Nr.:
- 190-6833
- Herst. Teile-Nr.:
- EMIF03-SIM02M8
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das EMIF03-SIM02M8 ist ein hochintegriertes 3-zeiliges Gerät zur Unterdrückung von EMI/RFI-Störungen in allen Systemen, die elektromagnetischen Störungen ausgesetzt sind. Dieser Filter umfasst einen ESD-Schutzschaltkreis, der Schäden an der Anwendung verhindert, wenn er ESD-Überspannungen von bis zu 15 kV auf den externen Stiften ausgesetzt wird.
Niedrige Klemmspannung
Einfaches Layout und Flexibilität dank E/A-Topologie
Hohe Reduzierung von parasitären Elementen durch Integration und Wafer-Level-Verpackung.
Hohe Zuverlässigkeit durch monolithische Integration
EMI-Tiefpassfilter für SIM-Karten
Sehr geringer Leiterplattenplatzverbrauch: 1,7 mm x 1,5 mm
Hohe Effizienz bei der Filterung von elektromagnetischen Störungen
Hoher Wirkungsgrad bei ESD-Unterdrückung an externen Stiften
Bleifreies Gehäuse
Sehr dünnes Gehäuse: Max. 0,6 mm
Einfaches Layout und Flexibilität dank E/A-Topologie
Hohe Reduzierung von parasitären Elementen durch Integration und Wafer-Level-Verpackung.
Hohe Zuverlässigkeit durch monolithische Integration
EMI-Tiefpassfilter für SIM-Karten
Sehr geringer Leiterplattenplatzverbrauch: 1,7 mm x 1,5 mm
Hohe Effizienz bei der Filterung von elektromagnetischen Störungen
Hoher Wirkungsgrad bei ESD-Unterdrückung an externen Stiften
Bleifreies Gehäuse
Sehr dünnes Gehäuse: Max. 0,6 mm
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Pinanzahl | 8 |
- RS Best.-Nr.:
- 190-6833
- Herst. Teile-Nr.:
- EMIF03-SIM02M8
- Marke:
- STMicroelectronics