onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:1000, IPAK (TO-251) 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 178-4811
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD112-1G
- Marke:
- onsemi
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| 75 - 75 | CHF.0.515 | CHF.38.661 |
| 150 - 300 | CHF.0.483 | CHF.36.309 |
| 375 + | CHF.0.462 | CHF.34.808 |
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- MJD112-1G
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor MJD112 ist der komplementäre Darlington-Leistungstransistor für allgemeine Leistungs- und Schaltanwendungen wie Ausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern.
Gerade Ausführung in Kunststoffhülsen
Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform
Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 2 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 3 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 20µA |
| Höhe | 6.35mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 6.73 x 2.38 x 6.35mm |
| Betriebstemperatur min. | –65 °C |
| Verlustleistung max. | 20 W |
| Breite | 2.38mm |
| Länge | 6.73mm |