onsemi NPN Darlington-Transistor 60 V dc 10 A dc HFE:1000, TO-220 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 186-7907
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N6387G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Power 8A 80 V NPN Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt.
Hohe DC-Stromverstärkung - hFE=2500 (Typ) @Ic=4.0 Adc
Collector-Emitter-Haltespannung - @ 100 mADC, VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, VCEO (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388
Collector-Emitter-Haltespannung - @ 100 mADC, VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, VCEO (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigung - Vce(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ Ic=5,0 Adc
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter
T0-220AB Kompaktgehäuse
Collector-Emitter-Haltespannung - @ 100 mADC, VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, VCEO (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388
Collector-Emitter-Haltespannung - @ 100 mADC, VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, VCEO (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigung - Vce(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ Ic=5,0 Adc
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter
T0-220AB Kompaktgehäuse
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10 A dc |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 60 V dc |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Konfiguration | Single |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 60 V dc |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 3 V dc |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 10.53mm |
| Betriebstemperatur min. | –65 °C |
| Verlustleistung max. | 65 W |
| Breite | 4.83mm |
| Höhe | 15.75mm |
| Abmessungen | 10.53 x 4.83 x 15.75mm |