STMicroelectronics PNP Darlington-Transistor 100 V 4 A HFE:200, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 686-8146
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD117T4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- MJD117T4
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
PNP-Darlington-Transistoren, STMicroelectronics
Bipolare Transistoren, STMicroelectronics
Eine breite Palette an bipolaren NPN- und PNP-Transistoren von STMicroelectronics, einschließlich Universal-, Darlington-, Leistungs- und Hochspannungs-Bauelementen in SMD- und durchkontaktierten Gehäusen.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 4 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 200 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 3 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 0.02mA |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| Breite | 6.2mm |
| Höhe | 2.4mm |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
| Länge | 6.6mm |