onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 mA HFE:5000, SOT-23 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 781-4288
Herst. Teile-Nr.:: MMBTA13LT3G
Marke:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 mA HFE:5000, SOT-23 3-Pin Einfach

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Der on Semiconductor MMBTA13L ist der NPN-Silizium-Darlington-Verstärkertransistor. Die Gehäusegröße des Transistors ist der SOT-23.

Diese Geräte sind bleifrei
Halogenfrei
RoHS-konform

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	300 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	30 V
Basis-Emitter Spannung max.	10 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gleichstromverstärkung min.	5000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,5 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	100nA
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Länge	3.04mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Verlustleistung max.	300 mW
Abmessungen	3.04 x 1.4 x 1.01mm
Breite	1.4mm
Höhe	1.01mm

RS Best.-Nr.:: 781-4288
Herst. Teile-Nr.:: MMBTA13LT3G
Marke:: onsemi