- RS Best.-Nr.:
- 176-9789
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-RD07
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 176-9789
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-RD07
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
Diese Hochgeschwindigkeitsdetektoren mit großem aktivem Bereich können vollständig entladen werden, um eine möglichst geringe Sperrschichtkapazität für schnelle Reaktionszeiten zu erreichen. Sie können mit einer höheren Sperrspannung bis zum maximal zulässigen Wert betrieben werden, um noch schnellere Reaktionszeiten in Nanosekunden zu erreichen. Die hohe umgekehrte Vorspannung an dieser Stelle erhöht das effektive elektrische Feld über dem Übergang und erhöht somit die Ladungsaufnahmezeit im entladenen Bereich. Beachten Sie, dass dies ohne Abstriche bei der hohen Empfindlichkeit und der aktiven Fläche erreicht wird. Diese Hochgeschwindigkeitsdetektoren mit großem aktivem Bereich können auch für Anwendungen, die hochenergetische Röntgenstrahlen, Röntgenstrahlen sowie hochenergetische Teilchen wie Elektronen, Alphastrahlen und schwere Ionen messen, vollständig entladen werden.
ProduktanwendungenLaser-AnwendungenSteuerungssystemeElektronen-DetektionHochenergiephysikMedizintechnische MesstechnikProduktmerkmaleGroße aktive FlächeVollständig entladbarFür NotfälleExtrem niedriger Dunkelstrom
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | Sichtbares Licht |
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 900nm |
Gehäusetyp | TO8 |
Montage Typ | THT |
Verstärkerfunktion | Nein |
Anzahl der Pins | 3 |
Diodenmaterial | Si |
Wellenlänge min. | 350nm |
Wellenlänge max. | 1100nm |
Höhe über Panel | 5.1054mm |
Spitzenphotosensibilität | 0.55A/W |
Durchmesser | 13.97mm |
Serie | PIN |
Nebenwiderstand | 1Ω |
Regelanstiegszeit | 1.5ns |