- RS Best.-Nr.:
- 145-1931
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW77NB
- Marke:
- Vishay
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Produktdetails
Fototransistoren Serie BPW77NA und BPW77NB
Die Serien BPW77NA und BPW77NB von Vishay Semiconductor sind eine Reihe von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie verfügen über gekapselte TO-18-Gehäuse mit einer Glaslinse. Die Fototransistoren BPW77NA und BPW77NB sind empfindlich für sichtbare und Nahe-IR-Strahlung. Sie sind ideal für den Einsatz als Detektoren von elektronischen Steuerungs- und Antriebskreisen.
Merkmale der Fototransistoren BPW77NA und BPW77NB:
TO-18-Gehäuse
4,7 mm Durchmesser
Durchgangsbohrungsmontage
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Betriebstemperatur: –40 bis +125 °C
TO-18-Gehäuse
4,7 mm Durchmesser
Durchgangsbohrungsmontage
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Betriebstemperatur: –40 bis +125 °C
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
Fallzeit typ. | 5µs |
Regelanstiegszeit | 6µs |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Lichtstrom max. | 20000µA |
Dunkelstrom max. | 100nA |
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 20° |
Polarität | NPN |
Anzahl der Pins | 3 |
Montage Typ | THT |
Gehäusetyp | TO18 |
Abmessungen | 5.5 x 5.5 x 6.15mm |
Kollektorstrom | 50mA |
Wellenlänge min. | 450nm |
Wellenlänge max. | 1080nm |
Empfindlichkeit im Spektralbereich | 450 → 1080 nm |
Länge | 5.5mm |
Breite | 5.5mm |
Höhe über Panel | 6.15mm |