onsemi THT Fototransistor IR 10μs → 940nm, 4-Pin Custom 4L

RS Best.-Nr.:: 184-1082
Herst. Teile-Nr.:: QRD1114
Marke:: onsemi

onsemi THT Fototransistor IR 10μs → 940nm, 4-Pin Custom 4L

Voraussichtlich ab 05.06.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.

Im Warenkorb

Preis pro Stück (In in einem Beutel mit 100)

CHF.1.365

Stück	Pro Stück	Pro Beutel*
100 - 400	CHF.1.365	CHF.136.815
500 - 900	CHF.1.302	CHF.130.515
1000 - 2400	CHF.1.071	CHF.107.52
2500 +	CHF.1.071	CHF.107.31
*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 184-1082
Herst. Teile-Nr.:: QRD1114
Marke:: onsemi

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet QRD1114

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Reflexions-Sensor QRD1113/14 besteht aus einer Infrarot-Emitterdiode und einem NPN-Silizium-Foto-Darlington, das nebeneinander in einem schwarzen Kunststoffgehäuse montiert ist. Die On-Axis-Strahlung des Emitters und das On-Axis-Ansprechen des Detektors sind beide senkrecht zur Stirnseite des QRD1113/14. Das Foto Darlington reagiert nur dann auf die von der Diode abgegebene Strahlung, wenn sich ein reflektierendes Objekt oder eine reflektierende Oberfläche im Sichtfeld des Detektors befindet.

Fototransistorausgang
Kontaktfreie Oberflächenerfassung
Unfokussiert zur Erfassung diffuser Oberflächen
Kompaktes Gehäuse
Tageslichtfilter am Sensor
Anwendungen:
Medizinische Elektronik/Geräte
Automation
Prüfung und Messung
Gebäude- und Heimsteuerung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	50µs
Regelanstiegszeit	10µs
Anzahl der Kanäle	1
Dunkelstrom max.	100nA
Anzahl der Pins	4
Montage Typ	THT
Gehäusetyp	Custom 4L
Abmessungen	4.39 x 6.1 x 4.65mm
Kollektorstrom	1 (Minimum)mA
Wellenlänge max.	940nm
Empfindlichkeit im Spektralbereich	940 nm
Kollektor-Emitter-Spannung	30V
Höhe über Panel	4.65mm
Emitter-Kollektor-Spannung	5V
Breite	6.1mm
Ausgangssignaltyp	Phototransistor
Länge	4.39mm
Sättigungsspannung	0.4V

RS Best.-Nr.:: 184-1082
Herst. Teile-Nr.:: QRD1114
Marke:: onsemi

Datasheet QRD1114