onsemi THT Fototransistor IR 10μs → 940nm, 4-Pin Custom 4L
- RS Best.-Nr.:
- 184-1403
- Herst. Teile-Nr.:
- QRD1114
- Marke:
- onsemi
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| 1 - 9 | CHF.20.58 | CHF.2.058 |
| 10 - 49 | CHF.11.687 | CHF.1.166 |
| 50 - 99 | CHF.11.151 | CHF.1.113 |
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- 184-1403
- Herst. Teile-Nr.:
- QRD1114
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Reflexions-Sensor QRD1113/14 besteht aus einer Infrarot-Emitterdiode und einem NPN-Silizium-Foto-Darlington, das nebeneinander in einem schwarzen Kunststoffgehäuse montiert ist. Die On-Axis-Strahlung des Emitters und das On-Axis-Ansprechen des Detektors sind beide senkrecht zur Stirnseite des QRD1113/14. Das Foto Darlington reagiert nur dann auf die von der Diode abgegebene Strahlung, wenn sich ein reflektierendes Objekt oder eine reflektierende Oberfläche im Sichtfeld des Detektors befindet.
Fototransistorausgang
Kontaktfreie Oberflächenerfassung
Unfokussiert zur Erfassung diffuser Oberflächen
Kompaktes Gehäuse
Tageslichtfilter am Sensor
Anwendungen:
Medizinische Elektronik/Geräte
Automation
Prüfung und Messung
Gebäude- und Heimsteuerung
Kontaktfreie Oberflächenerfassung
Unfokussiert zur Erfassung diffuser Oberflächen
Kompaktes Gehäuse
Tageslichtfilter am Sensor
Anwendungen:
Medizinische Elektronik/Geräte
Automation
Prüfung und Messung
Gebäude- und Heimsteuerung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 50µs |
| Regelanstiegszeit | 10µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Dunkelstrom max. | 100nA |
| Anzahl der Pins | 4 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | Custom 4L |
| Abmessungen | 4.39 x 6.1 x 4.65mm |
| Kollektorstrom | 1 (Minimum)mA |
| Wellenlänge max. | 940nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 940 nm |
| Breite | 6.1mm |
| Ausgangssignaltyp | Phototransistor |
| Höhe über Panel | 4.65mm |
| Sättigungsspannung | 0.4V |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 5V |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 30V |
| Länge | 4.39mm |