ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 7200μA, 2-Pin 3mm

RS Best.-Nr.:: 654-8019
Herst. Teile-Nr.:: SFH 309 FA-4/5
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 7200μA, 2-Pin 3mm

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Herst. Teile-Nr.:: SFH 309 FA-4/5
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Produktdetails

T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors

Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.

Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse
Durchgangsbohrung

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	7µs
Regelanstiegszeit	7µs
Anzahl der Kanäle	1
Lichtstrom max.	7200µA
Dunkelstrom max.	200nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	24 °
Polarität	NPN
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	THT
Gehäusetyp	3 mm (T-1)
Abmessungen	4 x 4 x 5.2mm
Kollektorstrom	15mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich	730 → 1120 nm
Wellenlänge min.	730nm
Wellenlänge max.	1120nm
Länge	4mm
Höhe über Panel	5.2mm
Breite	4mm

RS Best.-Nr.:: 654-8019
Herst. Teile-Nr.:: SFH 309 FA-4/5
Marke:: ams OSRAM