- RS Best.-Nr.:
- 802-3317
- Herst. Teile-Nr.:
- QSE113
- Marke:
- onsemi
- RS Best.-Nr.:
- 802-3317
- Herst. Teile-Nr.:
- QSE113
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IR-Fototransistor Serie QSE113/QSE114
Die Serie QSE-113/QSE114 von Fairchild Semiconductor ist eine Reihe von Silizium-IR-Fototransistoren. Sie befinden sich in einer SL-Packung mit seitlicher Optik (SL) und durchgehender Bohrung. Die schwarzen Kunststoffgehäuse haben einen breiten Winkel und sind IR-transparent.
Merkmale der QSE113/QSE114 IR-Fototransistoren:
Infrarot-Fototransistor, NPN-Silizium
Gehäusetyp: seitliche Optik
Mittelbreiter Empfangswinkel, 50°
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Tageslichtfilter
Hohe Empfindlichkeit
Betriebstemperatur: -40 bis +100 °C
Infrarot-Fototransistor, NPN-Silizium
Gehäusetyp: seitliche Optik
Mittelbreiter Empfangswinkel, 50°
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Tageslichtfilter
Hohe Empfindlichkeit
Betriebstemperatur: -40 bis +100 °C
IR-Fototransistoren, Fairchild Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR |
Fallzeit typ. | 8µs |
Regelanstiegszeit | 8µs |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Dunkelstrom max. | 100nA |
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 25 °C |
Anzahl der Pins | 2 |
Montage Typ | Durchsteckmontage |
Gehäusetyp | Side-View |
Abmessungen | 4.44 x 2.54 x 5.08mm |
Kollektorstrom | 1.50mA |
Wellenlänge max. | 880nm |
Empfindlichkeit im Spektralbereich | 880 nm |
Breite | 2.54mm |
Länge | 4.44mm |
Höhe über Panel | 5.08mm |