onsemi SMD Fototransistor IR 15μs → 940nm, 2-Pin Subminiatur
- RS Best.-Nr.:
- 805-0523
- Herst. Teile-Nr.:
- QSB363ZR
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 805-0523
- Herst. Teile-Nr.:
- QSB363ZR
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
IR-Fototransistor Serie QSB363
Die Semiconductor-Serie QSB363 von Fairchild ist eine Produktfamilie von Silizium-IR-Fototransistoren. Es handelt sich um Subminiatur Gehäuse zur Oberflächenmontage (SMD) mit einer T-3/4- (2 mm) gewölbten Linse. Die IR-Fototransistoren QSB363 haben eine Reihe von verschiedenen Kabeltypen einschließlich Gull-Wing, Gabel und Z-Biegung.
QSB363 / QSB363GR / QSB363YR / QSB363ZR
NPN-Silizium-Fototransistor
SMD-Gehäuse T-3/4 (2 mm)
Mittlere Strahlbreite: 24°
Schwarzes Kunststoffgehäuse
Tageslichtfilter
Kabelformen: SMD-Anschlusspins, Gabel, Z-Biegung
Betriebstemperatur: –40 bis +85 °C
NPN-Silizium-Fototransistor
SMD-Gehäuse T-3/4 (2 mm)
Mittlere Strahlbreite: 24°
Schwarzes Kunststoffgehäuse
Tageslichtfilter
Kabelformen: SMD-Anschlusspins, Gabel, Z-Biegung
Betriebstemperatur: –40 bis +85 °C
IR-Fototransistoren, Fairchild Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 15µs |
| Regelanstiegszeit | 15µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Dunkelstrom max. | 100nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 12° |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | SMD |
| Gehäusetyp | Subminiatur |
| Abmessungen | 2.7 x 2.2 x 3mm |
| Kollektorstrom | 1.5mA |
| Wellenlänge max. | 940nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 940 nm |
| Breite | 2.2mm |
| Länge | 2.7mm |
| Höhe über Panel | 3mm |
- RS Best.-Nr.:
- 805-0523
- Herst. Teile-Nr.:
- QSB363ZR
- Marke:
- onsemi