FM25V02A-DG FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 bit, SPI, DFN 8-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 256kbit
Organisation 32K x 8 bit
Interface-Typ SPI
Datenbus-Breite 8bit
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße DFN
Pinanzahl 8
Abmessungen 4 x 4.5 x 0.7mm
Länge 4mm
Breite 4.5mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Höhe 0.7mm
Betriebstemperatur max. +85 °C
Anzahl der Wörter 32K
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
Arbeitsspannnung min. 2 V
Betriebstemperatur min. –40 °C
84 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 2)
CHF .6.974
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8
CHF.6.974
CHF.13.948
10 - 18
CHF.5.675
CHF.11.351
20 - 98
CHF.5.383
CHF.10.777
100 - 498
CHF.4.962
CHF.9.911
500 +
CHF.4.704
CHF.9.408
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: