FM24VN10-G FRAM-Speicher 1MBit, 128K x 8 bit, Seriell (2-Draht, I2C), SOIC 8-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 1MBit
Organisation 128K x 8 bit
Interface-Typ I2C), Seriell (2-Draht
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SOIC
Pinanzahl 8
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge 4.97mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Breite 3.98mm
Höhe 1.48mm
Betriebstemperatur max. +85 °C
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
Anzahl der Wörter 128K
Arbeitsspannnung min. 2 V
Betriebstemperatur min. –40 °C
286 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück
CHF .11.620
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 9
CHF.11.620
10 - 49
CHF.10.929
50 - 99
CHF.10.485
100 - 499
CHF.9.350
500 +
CHF.8.800
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