Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 M x 8 Bit 20ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 181-8325
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L04B-GTR
- Marke:
- Infineon
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- 181-8325
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L04B-GTR
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200° A Wirkstrom bei 1 MHz
Standby-Strom von 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200° A Wirkstrom bei 1 MHz
Standby-Strom von 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 4kbit |
| Organisation | 512 M x 8 Bit |
| Interface-Typ | Seriell-SPI |
| Datenbus-Breite | 8bit |
| Zugriffszeit max. | 20ns |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Pinanzahl | 8 |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.47mm |
| Länge | 4.97mm |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
| Breite | 3.98mm |
| Höhe | 1.47mm |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
| Automobilstandard | AEC-Q100 |
| Anzahl der Wörter | 512M |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |