- RS Best.-Nr.:
- 182-3303
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L16B-DG
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 182-3303
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L16B-DG
- Marke:
- Cypress Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
Ferroelektrischer 16-Kbit-Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 2K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle "Datenspeicherung und Lebensdauer")
Keine Verzögerung beim Schreiben
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200 μA Wirkstrom bei 1 MHz
3 μA (typ.) Standby-Strom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle "Datenspeicherung und Lebensdauer")
Keine Verzögerung beim Schreiben
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200 μA Wirkstrom bei 1 MHz
3 μA (typ.) Standby-Strom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 16kbit |
Organisation | 2K x 8 Bit |
Interface-Typ | SPI |
Datenbus-Breite | 8bit |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | DFN |
Pinanzahl | 8 |
Abmessungen | 4.5 x 4 x 0.7mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
Anzahl der Wörter | 2K |
Automobilstandard | AEC-Q100 |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 182-3303
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L16B-DG
- Marke:
- Cypress Semiconductor