- RS Best.-Nr.:
- 184-0044
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24CL64B-GTR
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 184-0044
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24CL64B-GTR
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Ferroelektrischer 16-Kbit-Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 2K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung (siehe Datenspeicherung und -dauer auf Seite 12)
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200° A Wirkstrom bei 1 MHz
Standby-Strom von 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung (siehe Datenspeicherung und -dauer auf Seite 12)
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200° A Wirkstrom bei 1 MHz
Standby-Strom von 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 64kbit |
Organisation | 8K x 8 bit |
Interface-Typ | I2C |
Datenbus-Breite | 8bit |
Zugriffszeit max. | 550ns |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 8 |
Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Länge | 4.97mm |
Breite | 3.98mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Höhe | 1.48mm |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Anzahl der Wörter | 8K |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Automobilstandard | AEC-Q100 |