Infineon FRAM-Speicher 2MBit, 256K x 8 bit 9ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 1,71 V bis 1,89 V
- RS Best.-Nr.:
- 188-3437
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V102QN-50SXE
- Marke:
- Infineon
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CHF.16.832
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 94 - 94 | CHF.16.832 | CHF.1'582.256 |
| 188 - 188 | CHF.15.005 | CHF.1'410.822 |
| 282 - 470 | CHF.14.259 | CHF.1'340.546 |
| 564 + | CHF.14.112 | CHF.1'326.528 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 188-3437
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V102QN-50SXE
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 256 K x 8
Praktisch unbegrenzte Lebensdauer von 10 Trillionen (1013) Lese-/Schreibzyklen
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 50 MHz Frequenz
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreibsperre (WRDI)
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID und Seriennummer
Geräte-ID umfasst Hersteller-ID und Produkt-ID
Eindeutige ID
Seriennummer
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM
Dedizierter spezieller Sektor zum Schreiben und Lesen
Der gespeicherte Inhalt kann bis zu 3 Standard-Reflow-Lötzyklen überstehen
Geringer Stromverbrauch
3,7 mA (typ.) Wirkstrom bei 40 MHz
2,7 μA (typ.) Standby-Strom
1,1 μA (typ.) Deep-Power-Down-Mode-Strom
0,1 μA (typ.) Hibernate Mode Strom
Niederspannungsbetrieb:
CY15V102QN: VDD = 1,71 V bis 1,89 V
CY15B102QN: VDD = 1,8 V bis 3,6 V
Fahrzeugbetriebstemperatur: -40 °C bis +125 °C.
AEC-Q100 Klasse 1-konform
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
Praktisch unbegrenzte Lebensdauer von 10 Trillionen (1013) Lese-/Schreibzyklen
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 50 MHz Frequenz
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreibsperre (WRDI)
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID und Seriennummer
Geräte-ID umfasst Hersteller-ID und Produkt-ID
Eindeutige ID
Seriennummer
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM
Dedizierter spezieller Sektor zum Schreiben und Lesen
Der gespeicherte Inhalt kann bis zu 3 Standard-Reflow-Lötzyklen überstehen
Geringer Stromverbrauch
3,7 mA (typ.) Wirkstrom bei 40 MHz
2,7 μA (typ.) Standby-Strom
1,1 μA (typ.) Deep-Power-Down-Mode-Strom
0,1 μA (typ.) Hibernate Mode Strom
Niederspannungsbetrieb:
CY15V102QN: VDD = 1,71 V bis 1,89 V
CY15B102QN: VDD = 1,8 V bis 3,6 V
Fahrzeugbetriebstemperatur: -40 °C bis +125 °C.
AEC-Q100 Klasse 1-konform
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 2MBit |
| Organisation | 256K x 8 bit |
| Interface-Typ | Seriell-SPI |
| Datenbus-Breite | 8bit |
| Zugriffszeit max. | 9ns |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Pinanzahl | 8 |
| Abmessungen | 5.33 x 5.33 x 1.78mm |
| Länge | 5.33mm |
| Breite | 5.33mm |
| Arbeitsspannnung max. | 1,89 V |
| Höhe | 1.78mm |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q100 |
| Anzahl der Wörter | 256K |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Arbeitsspannnung min. | 1,71 V |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |