Cypress Semiconductor FRAM-Speicher 4kbit, 512 x 8 bit I2C SMD SOIC 8-Pin

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
100 μA Wirkstrom bei 100 kHz
3 μA (typ.) Standby-Strom
Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.