FM25V02A-DG FRAM-Speicher 256kbit, 32 K x 8 bit, SPI, DFN 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: US
Produktdetails

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

256-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM)
Logisch organisiert als 32K ´ 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 40 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
2,5 mA Wirkstrom bei 40 MHz
150 μA Standby-Strom
8 μA Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges zweifaches DFN-Gehäuse (Flat No-Lead)

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 256kbit
Organisation 32 K x 8 bit
Interface-Typ SPI
Datenbus-Breite 8bit
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße DFN
Pinanzahl 8
Abmessungen 4.5 x 4 x 0.75mm
Länge 4.5mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Breite 4mm
Höhe 0.75mm
Betriebstemperatur max. +85 °C
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
Anzahl der Wörter 32k
Betriebstemperatur min. –40 °C
Arbeitsspannnung min. 2 V
162 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer Stange von 81)
CHF .6.90
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
81 - 81
CHF.6.90
CHF.559.128
162 - 243
CHF.6.190
CHF.501.217
324 - 486
CHF.6.155
CHF.498.748
567 - 972
CHF.5.757
CHF.466.053
1053 +
CHF.5.512
CHF.446.804
*Bitte VPE beachten