AEC-Q100 FM25V05-G FRAM-Speicher 512kbit, 64 K x 8 bit, SPI, SOIC 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: US
Produktdetails

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 512kbit
Organisation 64 K x 8 bit
Interface-Typ SPI
Datenbus-Breite 8bit
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SOIC
Pinanzahl 8
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge 4.97mm
Breite 3.98mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Höhe 1.48mm
Betriebstemperatur max. +85 °C
Anzahl der Wörter 64k
Arbeitsspannnung min. 2 V
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
Betriebstemperatur min. –40 °C
Automobilstandard AEC-Q100
291 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer Stange von 97)
CHF .13.562
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
97 - 97
CHF.13.562
CHF.1'315.991
194 - 194
CHF.12.088
CHF.1'172.740
291 - 485
CHF.11.49
CHF.1'114.969
582 +
CHF.11.37
CHF.1'103.396
*Bitte VPE beachten