FM25VN10-G FRAM-Speicher 1MBit, 128.000 x 8 Bit, SPI, SOIC 8-Pin

Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: US
Produktdetails

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

1 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 128K ´ 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 40 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID und Seriennummer
Hersteller-ID und Produkt-ID
Eindeutige Seriennummer (FM25VN10)
Geringer Stromverbrauch
300 μA Wirkstrom bei 1 MHz
90 μA (typ.) Standby-Strom
5 μA Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges zweifaches DFN-Gehäuse (Flat No-Lead)

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 1MBit
Organisation 128.000 x 8 Bit
Interface-Typ SPI
Datenbus-Breite 8bit
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SOIC
Pinanzahl 8
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge 4.97mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Breite 3.98mm
Höhe 1.48mm
Betriebstemperatur max. +85 °C
Anzahl der Wörter 128k
Betriebstemperatur min. –40 °C
Arbeitsspannnung min. 2 V
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
388 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer Stange von 97)
CHF .12.661
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
97 - 97
CHF.12.661
CHF.1'227.679
194 - 194
CHF.11.280
CHF.1'094.655
291 - 485
CHF.10.730
CHF.1'041.190
582 +
CHF.10.613
CHF.1'029.617
*Bitte VPE beachten