- RS Best.-Nr.:
- 170-2302
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2011STRPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 170-2302
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2011STRPBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber, High- und Low-Side, Infineon
Gate-Ansteuerungs-ICs von Infineon zur Steuerung von MOSFET- oder IGBT-Leistungsbauelementen in Hoch- und Niederspannungsseiten-Konfigurationen.
200-V-Hoch- und Niederspannungsseiten-Treiber-ICs mit typischerweise 1-A-Quelle und 1-A-Senkenströmen in 8-Kabel-SOIC-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs. Auch erhältlich in 8-Kabel-PDIP.
Zusammenfassung der Funktionen:Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb, dV/dt immunVoll betriebsfähig bis 200 V tolerant gegenüber negativer ÜberspannungTolerant gegenüber negativer TransientenspannungdV/dt immunGate-Ansteuerungs-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 VUnabhängige Nieder- und HochspannungsseitenkanäleEingangslogik HIN/LIN high-aktivUnterspannungsschutz für beide KanäleKompatibel mit 3,3-V- und 5-V-EingangslogikCMOS-Schmitt-Trigger-Eingänge mit Pull-DownAngepasste Laufzeit für beide Kanäle
MOSFET- und IGBT-Treiber, Infineon (International Rectifier)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Ausgangsstrom | 1 A |
Versorgungsspannung | 20V |
Pinanzahl | 8 |
Abfallzeit | 35ns |
Gehäusegröße | SOIC |
Anzahl der Ausgänge | 2 |
Anstiegszeit | 50ns |
Topologie | Low / High Side |
Ein-/Ausgangsabhängigkeit | Independent |
Zeitverzögerung | 80ns |
Anzahl der Treiber | 2 |
Polarität | Non-Inverting |
Montage-Typ | SMD |