Infineon THT SiC-Schottky Diode, 1200V / 22.8A, 2 + Tab-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 133-8555
- Herst. Teile-Nr.:
- IDH08G120C5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
thinQ! Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC), Infineon
Die thinQ!™-Generation 5 von Infineon bietet eine neuartige Dünnwafer-Technologie für SiC-Schottky-Barrierendioden mit verbesserten thermischen Eigenschaften. Die SiC-Schottky-Dioden bieten vorteilhafte Funktionen für Hochspannungshalbleiter, etwa eine höhere Durchbruchfeldstärke sowie verbesserte thermische Leitfähigkeit mit höherer Effizienz. Diese neueste Generation eignet sich für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silverbox- und Beleuchtungsanwendungen.
Verminderte elektromagnetische Störungen
Dioden und Gleichrichter, Infineon
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 22.8A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 1200V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 + Tab |
| Maximaler Spannungsabfall | 2.85V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 70A |
- RS Best.-Nr.:
- 133-8555
- Herst. Teile-Nr.:
- IDH08G120C5XKSA1
- Marke:
- Infineon