- RS Best.-Nr.:
- 683-8918P
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-202J1
- Marke:
- Omron
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- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Halbleiterrelais G3VM
Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Universal-MOSFET-Halbleiterrelais G3VM-62J1.
Das MOSFET-Relais G3VM-62J1 ist ein flaches (2,1 mm hohes) Relais und bietet eine Fülle von Vorteilen, die von wartungsfreien Relais erwartet werden. Relais als 2-poliger Schließer, SOP-Gehäuse mit 8 Anschlussstiften
Merkmale und Vorteile des Halbleiterrelais G3VM-62J1
MOSFET-Halbleiterrelais.
Kontaktform: 2-poliger Schließer 2a.
SOP8 (Small Outline).
8 Relais-Anschlussklemmen.
Lastspannung: 60 V.
Laststrom: 400 mA max.
Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 1 Ω.
Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
Kapazität zwischen den Klemmen: 130 pF.
SSR-Einschaltzeit: 2 ms max.
SSR-Abschaltzeit: 0,5 ms max.
Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 1500 V eff.
2 Kanäle
Niedriger Einschaltwiderstand
RoHS-konform.
Kontaktform: 2-poliger Schließer 2a.
SOP8 (Small Outline).
8 Relais-Anschlussklemmen.
Lastspannung: 60 V.
Laststrom: 400 mA max.
Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 1 Ω.
Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
Kapazität zwischen den Klemmen: 130 pF.
SSR-Einschaltzeit: 2 ms max.
SSR-Abschaltzeit: 0,5 ms max.
Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 1500 V eff.
2 Kanäle
Niedriger Einschaltwiderstand
RoHS-konform.
Zusätzliche Merkmale des Universal-Halbleiterrelais G3VM-62J1
Lange Betriebslebensdauer.
Geringer Leckstrom.
SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
Hohe Isolierung.
Geräuscharmer Betrieb.
Hochgeschwindigkeitsschalten.
Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
Foto-LED-Eingang.
Statusausgang.
Kompakt
Betriebstemperaturbereich: -25°C bis +65°C, keine Vereisung oder Kondensation.
Geringer Leckstrom.
SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
Hohe Isolierung.
Geräuscharmer Betrieb.
Hochgeschwindigkeitsschalten.
Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
Foto-LED-Eingang.
Statusausgang.
Kompakt
Betriebstemperaturbereich: -25°C bis +65°C, keine Vereisung oder Kondensation.
Andere Anwendungsbeispiele.
Prüf- und Messgeräte.
Breitbandsysteme.
Datenlogger.
Unterhaltungssysteme.
Breitbandsysteme.
Datenlogger.
Unterhaltungssysteme.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Laststrom max. | 0,2 A |
Montage Typ | Oberflächenmontage |
Lastspannung max. | 200 V |
Steuerspannung max. | 1,3 V |
Laststrom min. | 200 mA |
Kontaktanordnung | DPST |
Anschluss Typ | Leiterplattenstift |
Ausgangsschaltung | MOSFET |
Gehäuseform | SOP8 |
Serie | G3VM |
Lastspannungsbereich | 0 200 →V ac |
Abmessungen | 9.4 x 4.4 x 1.9mm |
Betriebstemperaturbereich | -40 → +85°C |
Tiefe | 4.4mm |
Betriebstemperatur min. | -40°C |
Länge | 9.4mm |
Höhe | 1.9mm |
Betriebstemperatur max. | +85°C |