- RS Best.-Nr.:
- 686-7149
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-352C
- Marke:
- Omron
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Halbleiterrelais G3VM
Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Standardserie G3VM-352C-MOSFET-SSR – Halbleiterrelais.
Das G3VM-352C-Relais ist Teil der aktualisierten G3VM-W-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen. Schließer-Durchsteckrelais mit SOP8-Gehäuse, 8 Leiterplatten-Relais-Anschlussklemmen und einer Lastspannung von 350 V.
Merkmale und Vorteile des G3VM-352C-Standard-Halbleiterrelais.
MOSFET-Halbleiterrelais.
Schlankes, 2,1 mm hohes Relais.
SMD-Relais-Anschlussklemmen.
DIP 2a (Dual-in-Line-Gehäuse).
SOP8-Gehäuse.
Kontaktform: DPST-NO (Schließer).
Durchsteckrelais.
Leiterplatten-Anschlussklemmen.
IR-LED (optisch gekoppelt).
8 Relais-Anschlussklemmen.
Lastspannung: 350 V ac.
Laststrom: 120 mA max.
Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 35 Ω.
Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
Kapazität zwischen den Klemmen: 30 pF.
SSR-Einschaltzeit: 1 ms max.
SSR-Abschaltzeit: 1 ms max.
Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
RoHS-konform.
Schlankes, 2,1 mm hohes Relais.
SMD-Relais-Anschlussklemmen.
DIP 2a (Dual-in-Line-Gehäuse).
SOP8-Gehäuse.
Kontaktform: DPST-NO (Schließer).
Durchsteckrelais.
Leiterplatten-Anschlussklemmen.
IR-LED (optisch gekoppelt).
8 Relais-Anschlussklemmen.
Lastspannung: 350 V ac.
Laststrom: 120 mA max.
Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 35 Ω.
Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
Kapazität zwischen den Klemmen: 30 pF.
SSR-Einschaltzeit: 1 ms max.
SSR-Abschaltzeit: 1 ms max.
Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
RoHS-konform.
Zusätzliche Merkmale des Standard-Halbleiterrelais G3VM-352C.
Lange Betriebslebensdauer.
Geringer Leckstrom.
SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
Hohe Isolierung.
Geräuscharmer Betrieb.
Hochgeschwindigkeitsschalten.
Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
Foto-LED-Eingang.
Statusausgang.
Kompakt
Geringer Leckstrom.
SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
Hohe Isolierung.
Geräuscharmer Betrieb.
Hochgeschwindigkeitsschalten.
Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
Foto-LED-Eingang.
Statusausgang.
Kompakt
Andere Anwendungsbeispiele.
Sicherheitsgeräte.
Unterhaltungsgeräte.
Messgeräte.
Unterhaltungsgeräte.
Messgeräte.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Laststrom max. | 0,12 A |
Montage Typ | Leiterplattenmontage |
Lastspannung max. | 350 Vac |
Lastspannung min. | 0 Vac |
Steuerspannung max. | 1,3 V |
Schalttyp | DC |
Steuerspannungsbereich | Max. 1,3 V |
Laststrom min. | 120 mA |
Anschluss Typ | Leiterplattenstift |
Kontaktanordnung | DPST |
Ausgangsschaltung | MOSFET |
Gehäuseform | PDIP |
Serie | G3VM |
Lastspannungsbereich | 0 → 350V ac |
Abmessungen | 9.66 x 6.4 x 3.65mm |
Tiefe | 6.4mm |
Betriebstemperatur max. | +85°C |
Betriebstemperatur min. | -40°C |
Länge | 9.7mm |
Leckstrom im "Aus"-Zustand | 50 mA |
Höhe | 3.7mm |
Betriebstemperaturbereich | -40 → +85°C |