- RS Best.-Nr.:
- 122-0391
- Herst. Teile-Nr.:
- SEMiX303GB12E4p
- Marke:
- Semikron
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Produktdetails
SEMiX® Dual-IGBT-Module
Dual-IGBT-Module von Semikron in modernen, flachen SEMiX®-Gehäusen, die für Halbbrücken-Leistungssteuerungsanwendung geeignet sind. Die Module verwenden lötfreie Feder- oder Presssitz-Kontakte, sodass ein Gate-Treiber direkt an der Oberseite des Moduls montiert werden kann, was Platz spart und größere Anschlusszuverlässigkeit bietet. Typische Anwendungen umfassen AC-Frequenzumrichter, USV, elektronisches Schweißen und erneuerbare Energiesysteme.
Geeignete Presssitz-Gate-Treibermodule siehe 122-0385 bis 122-0387
Geeignete Presssitz-Gate-Treibermodule siehe 122-0385 bis 122-0387
Flaches, lötfreies Montagegehäuse
IGBTs mit Trenchgate-Technologie
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung hat positiven Temperaturkoeffizienten
Hohe Kurzschlussstrombelastbarkeit
Presssitz-Stifte als Hilfskontakte
UL-Zulassung
IGBTs mit Trenchgate-Technologie
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung hat positiven Temperaturkoeffizienten
Hohe Kurzschlussstrombelastbarkeit
Presssitz-Stifte als Hilfskontakte
UL-Zulassung
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 469 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | 20V |
Gehäusegröße | SEMiX®3p |
Konfiguration | Serie |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 11 |
Transistor-Konfiguration | Serie |
Abmessungen | 150 x 62.4 x 17mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |