IXYS IGBT-Modul / 135 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin Y4 M5 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-4474
- Herst. Teile-Nr.:
- MII100-12A3
- Marke:
- IXYS
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Produktdetails
IGBT-Module IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 135 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Gehäusegröße | Y4 M5 |
| Konfiguration | Serie |
| Montage-Typ | Tafelmontage |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 7 |
| Transistor-Konfiguration | Serie |
| Abmessungen | 94 x 34 x 30mm |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |