Fuji Electric IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V 1040 W, 7-Pin M259 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 168-4641
Herst. Teile-Nr.:: 1MBI200U4H-120L-50
Marke:: Fuji Electric

Fuji Electric IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V 1040 W, 7-Pin M259 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 168-4641
Herst. Teile-Nr.:: 1MBI200U4H-120L-50
Marke:: Fuji Electric

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

IGBT-Module 1er-Pack, Fuji Electric

Serie V, Feld-Ausschalter der 6. Generation
Serie U/U4, Feld-Ausschalter der 5. Generation
Serie HH, Planar-NPT-Chooper-IGBTs mit hoher Geschwindigkeit

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Dauer-Kollektorstrom max.	200 A
Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
Gate-Source Spannung max.	±20V
Verlustleistung max.	1040 W
Gehäusegröße	M259
Konfiguration	Single
Montage-Typ	Tafelmontage
Channel-Typ	N
Pinanzahl	7
Transistor-Konfiguration	Einfach
Abmessungen	108 x 62 x 30mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C

RS Best.-Nr.:: 168-4641
Herst. Teile-Nr.:: 1MBI200U4H-120L-50
Marke:: Fuji Electric