Fuji Electric IGBT-Modul / 100 A ±20V max., 1200 V 555 W, 7-Pin M263 N-Kanal

Serie V, Feld-Ausschalter der 6. Generation
Serie U/U4, Feld-Ausschalter der 5. Generation
Serie S, NPT der 4. Generation

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.