Fuji Electric IGBT-Modul / 150 A ±20V max., 1200 V 785 W, 7-Pin M263 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 771-6288
- Herst. Teile-Nr.:
- 2MBi150VA-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 771-6288
- Herst. Teile-Nr.:
- 2MBi150VA-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT-Module 2er-Pack, Fuji Electric
Serie V, Feld-Ausschalter der 6. Generation
Serie U/U4, Feld-Ausschalter der 5. Generation
Serie S, NPT der 4. Generation
Serie U/U4, Feld-Ausschalter der 5. Generation
Serie S, NPT der 4. Generation
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 785 W |
| Gehäusegröße | M263 |
| Konfiguration | Serie |
| Montage-Typ | Tafelmontage |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 7 |
| Transistor-Konfiguration | Serie |
| Abmessungen | 94 x 34 x 30mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 771-6288
- Herst. Teile-Nr.:
- 2MBi150VA-120-50
- Marke:
- Fuji Electric